პროდუქტის დასახელება Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB მეხსიერება (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) მწარმოებელი Samsung Electronics მწარმოებელი ქვეყანა ჩინეთი აშენების წელი/კვირა 2010/38 მონაცემთა მოცულობა 2 GB საათის სიჩქარე 1333 Mhz (PC3-10600) აქვს 240 პინი, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM წარმოების პროცესის ტექნოლოგია 40nm მონაცემთა ბიტი x64 შიდა მოდულის ბანკები 8 მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 ჩიპები […]

Many mainboards, supported early pentium CPU, usually had sync cache memory chips as CPU L2 cache. This sync cache module(COASt; Cache On A Stick) is external memory module used as additional CPU L2 cache. It maximizes the perfomance of the processor while the processor is waiting for instructions or data. L2 cache is used for operating […]

A-DATA Viesta DDR600 Viesta მეხსიერება, DDR SDRAM მეხსიერების მოდულებში, პირველად მიაღწია 600Mhz საათის სიჩქარეს Samsung TCCD მეხსიერების ჩიპებით. A-data Viesta-ს მონაცემთა მოცულობა იყო 512 მბ ან 256 მბ. მას ძირითადად იყენებდნენ ოვაკრიკულაციისთვის.   პროდუქტის დასახელება A-DATA Vitesta DDR600 512MB ნაწილის ნომერი MDOSSLF3H47A0B1G0Z მწარმოებელი A-DATA მწარმოებელი ქვეყანა ტაივანი აგების წელი 2004 აქვს 184 პინიანი Unbuffer […]

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Მწარმოებელი კომპანია : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Მწარმოებელი ქვეყანა : სამხრეთ კორეის მოდულის მახასიათებლები : 30pin, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

Პროდუქტის სახელი : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 ნაწილის ნომერი : EBJ21UE8BFU0-DJ-F მწარმოებელი : ELPIDA მწარმოებელი ქვეყანა : ტაივანი აშენების წელი/კვირა : 2010/38 ფორმა : DDR3 SO-DIMM მახასიათებლები : 204pin, არა-ECC მეხსიერების მოცულობა : 2GB მაქსიმალური მონაცემთა სიჩქარე : 1333Mbps ძაბვა : 1.5V ორგანიზაცია : 256M სიტყვა × 64 bits, 2 წოდება Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]