DDR SDRAM – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/ka/ device, part, სპეც Wed, 06 Nov 2019 11:31:36 +0000 ka hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/ka/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/ka/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-ka M368L6423DTM არის 32M bit x 64 მონაცემთა ორმაგი სიჩქარე(DDR) SDRAM მაღალი სიმკვრივის მეხსიერების მოდული დაფუძნებული მეხუთე თაობის 256 Mb DDR SDRAM შესაბამისად. M368L6423DTM შედგება თექვსმეტი CMOS 32M x-ისგან 8 ბიტი 4 ბანკის მონაცემთა ორმაგი სიჩქარის SDRAM-ებით 66 პინიანი TSOP-II(400მლნ) პაკეტები დამონტაჟებულია 184 პინიან შუშა-ეპოქსიდურ სუბსტრატზე. ოთხი 0.1uF გამყოფი კონდენსატორი დამონტაჟებულია ბეჭდურ მიკროსქემის დაფაზე პარალელურად თითოეული DDR SDRAM-ისთვის. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Პროდუქტის სახელი Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
მწარმოებელი Samsung Electronics
Მწარმოებელი ქვეყანა კორეა
აშენება წელი / კვირაში 2003/12
მონაცემთა მოცულობა 512MB
Საათის სიჩქარე 166მჰც (PC2700, DDR333)
მეხსიერების დრო CL=2.5
მახასიათებლები 184pin, DIMM, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM
ზომა 133.35მმ × 31,75 მმ
მონაცემთა ბიტი 64ცოტა
შიდა მოდულის ბანკები 4
მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8 ბიტი × 16 ჩიპი)
პაკეტი TSOP-II
VDD ძაბვა 2.5V ± 0.2V
ოპერაციული Case ტემპერატურის დიაპაზონი 0° C ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, არასამთავრობო ნამდვილი RAM) https://www.devicelog.com/ka/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/ka/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-ka Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • Პროდუქტის სახელი : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (არა ორიგინალური ნაწილები)
  • Ნაწილი ნომერი : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • მწარმოებელი : Samsung Electronics (წ)
  • Მწარმოებელი ქვეყანა : სამხრეთ კორეა
  • აშენება წელი / კვირაში : 2003/33
  • მონაცემთა მოცულობა : 512MB
  • Საათის სიჩქარე : 400მჰც (PC3200)
  • მახასიათებლები : 184pin, არაბუფერირებული Non-ECC DDR SDRAM DIMM
  • მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 ჩიპები
  • მონაცემთა ბანკები : 4 ბანკები
  • განახლების ინტერვალი : 7.8μs (8K/64ms განახლება)
  • წაიკითხეთ ლატანცია : 3 საათი (CL3)
  • აფეთქების სიგრძე : 2, 4, 8
  • ადიდებული ტიპი : თანმიმდევრული & ჩარევა
  • ადიდებული განახლების მაქსიმალური ციკლი : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6V±0.1V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3 A-DATA Vitesta 512 DDR600 DIMM (PC4800) https://www.devicelog.com/ka/memory/dram/ddr-sdram/adata-vitesta-ddr600-512mb/ https://www.devicelog.com/ka/memory/dram/ddr-sdram/adata-vitesta-ddr600-512mb/#respond Thu, 25 Oct 2012 01:49:42 +0000 https://www.devicelog.com/?p=455-ka A-DATA Viesta DDR600 Viesta მეხსიერება, DDR SDRAM მეხსიერების მოდულებში, პირველად მიაღწია 600Mhz საათის სიჩქარეს Samsung TCCD მეხსიერების ჩიპებით. A-data Viesta-ს მონაცემთა მოცულობა იყო 512 მბ ან 256 მბ. It was mostly used for ovcrclocking.

ADATA DDR600 Vitesta 512MB Package frontside

ADATA DDR600 Vitesta 512MB Package backside

 

  • Პროდუქტის სახელი
    • A-DATA Vitesta DDR600 512 მბ
  • Ნაწილი ნომერი
    • MDOSSLF3H47A0B1G0Z
  • მწარმოებელი
    • A-DATA
  • Მწარმოებელი ქვეყანა
    • Taiwan
  • აშენების წელი
    • 2004
  • მახასიათებლები
    • 184pin
    • Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM
  • მონაცემთა მოცულობა
    • 512MB
  • Საათის სიჩქარე
    • 600მჰც (PC4800)
  • Ვოლტაჟი
    • 2.8± 0,1 ვ
  • Chip შემადგენლობა
    • Samsung TCCD 16 ჩიპები
  • PCB სიმაღლე
    • 31.75mm, 6 ფენები
  • ოპერაციული Case ტემპერატურის დიაპაზონი
    • 0~ 95 ℃
  • მოდული ბანკი
    • 2 ფიზიკური ბანკი

ADATA DDR600 Vitesta 512MB Module frontside

ADATA DDR600 Vitesta 512MB Module backside

ADATA DDR600 Vitesta 512MB Module bottomside

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/adata-vitesta-ddr600-512mb/feed/ 0