メモリ – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/ja/ device, part, スペック Mon, 25 Jul 2022 04:37:45 +0000 ja hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 EKmemory 2ギガバイトDDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333 (2RX8) https://www.devicelog.com/ja/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/ https://www.devicelog.com/ja/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/#comments Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000 https://www.devicelog.com/?p=643-ja EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) frontside

EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) backside

  • 商品名 : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0
  • メーカー : EKmemory
  • 製造国 : 韓国
  • データ容量 : 2GB
  • クロック速度 : 1333メガヘルツ (PC3-10600)
  • 特徴 : 240ピン, バッファなしDDR3 ECC SDRAM DIMM
  • データチップ組成 : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 チップス
  • VDD電圧 : 1.5V
  • ホームページ : HTTP://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = DRAM&なし= 91

EKmemory_DDR3_2GB_2Rx8_PC3-10600U-9-10-B0_package

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/feed/ 1 サムスンSDHCクラス 10 エッセンシャル32ギガバイト https://www.devicelog.com/ja/storage/memory-card/sd/sdhc/samsung-sdhc-class-10-essential-32gb/ https://www.devicelog.com/ja/storage/memory-card/sd/sdhc/samsung-sdhc-class-10-essential-32gb/#respond Sat, 02 Mar 2013 16:03:37 +0000 https://www.devicelog.com/?p=625-ja Samsung SDHC Essential 32GB Class 10 Package

Samsung SDHC Essential 32GB Class 10 Frontside

Samsung SDHC Essential 32GB Class 10 Backside

  • 商品名 : サムスンSDHCクラス 10 エッセンシャル32ギガバイト
  • モデル名 : MB-SSBGA / KR
  • メーカー : サムスン電子
  • 製造国 : 韓国
  • メモリタイプ : SDHC
  • サイズ : 32mm x 24mm x 2.1mm
  • データ容量 : 32GB (2923ジブ, 29927MIB)
  • スピードを読みます : マックス. 24MB/s
  • スピードを書きます : マックス. 13MB/s
  • 許容電圧 : 2.7 〜3.6V
  • 動作/非動作温度範囲 : -25 〜85°C / -40 〜85°C
]]> https://www.devicelog.com/storage/memory-card/sd/sdhc/samsung-sdhc-class-10-essential-32gb/feed/ 0 サムスン4GBのDDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333 (2RX8, 韓国) https://www.devicelog.com/ja/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/ja/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-ja Samsung DDR3 SDRAM 4GB Memory DIMM (2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131)

商品名 サムスン4GBのDDR3 SDRAM PC3-10600メモリ
(2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
メーカー サムスン電子 (SEC)
製造国 韓国
ビルド年/週 2011/31
データ容量 4GB
クロック速度 1333メガヘルツ (PC3-10600)
メモリのタイミング CL = 9, tRCD = 9, tRPの= 9
特徴 240ピン, バッファなしDDR3 ECC SDRAM DIMM
データビット x64の
深さ / ビット構成 512M / X8
内部モジュール銀行 8
ランク 2
データチップ組成 [SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 チップス
(256メガビット✕ 8 ✕ 16 個)
コンポーネントのリビジョン 4世代
パッケージ FBGA (無鉛の & ハロゲンフリー)
高さ 30んん
VDD電圧 1.5V
オペレーティングケース温度範囲 0°C〜85°C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0 UMC同期キャッシュモジュール256キロバイト (パイプラインは、キャッシュをバースト, 海岸) https://www.devicelog.com/ja/memory/sram/umc-sync-cache-module-256kb-pipeline-burst-cache/ https://www.devicelog.com/ja/memory/sram/umc-sync-cache-module-256kb-pipeline-burst-cache/#comments Sat, 05 Jan 2013 13:27:32 +0000 https://www.devicelog.com/?p=535-ja UMC Sync Cache Module 256KB Frontside (Pipeline Burst Cache)

UMC Sync Cache Module 256KB Backside (Pipeline Burst Cache)

多くのマザーボード, サポートされる初期のPentium CPU, 通常、CPU L2キャッシュとして同期キャッシュメモリチップを持っていました. この同期キャッシュモジュール(海岸; キャッシュオンAスティック) 外部メモリモジュールは、追加のCPU L2キャッシュとして使用されます. プロセッサは、命令やデータを待っている間、それはプロセッサのもパフォーマンスを最大化. L2 cache is used for operating closer to the theoretical limit of the microprocessor.

「パイプライン’ 最初の転送がプロセッサに到着する前に最初の転送後の転送が起こることを示唆しています. 「Piplelineはキャッシュバースト’ was developed as an alternative to asynchronous cache and synchronous burst cache.

  • 商品名 : UMC同期キャッシュモジュール256キロバイト (バージョン : 1.8)
  • パーツ番号 : LM 2MV 94V-0
  • メーカー : UMC
  • 製造国 : 台湾
  • ビルド年/週 : 1996/39
  • データ容量 : 256KB
  • ピン数 : 80ピン
  • 特徴 : 海岸(キャッシュオンAスティック), パイプラインは、キャッシュをバースト, 追加のL2キャッシュ, SRAM
  • 電圧 : 3.3V
  • チップ構成 : [UM61(L)3232AF-9641S 7 MM4X52] ✕ 2 + [UM61(メートル)256S-15 9549D RB1121] ✕ 1

 

Sync Cache Module Slot (Pipeline_Burst_Cache Moduel Slot)

UMC Sync cache module installed on Soyo mainboard slot

]]> https://www.devicelog.com/memory/sram/umc-sync-cache-module-256kb-pipeline-burst-cache/feed/ 2 ゴールドスター1メガバイトDRAM 30ピンSIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) https://www.devicelog.com/ja/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400b-gmc71c1000b/ https://www.devicelog.com/ja/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400b-gmc71c1000b/#respond Tue, 02 Aug 2011 09:45:54 +0000 https://www.devicelog.com/?p=46-ja このSIMMは金色でメッキされています. このシムはメッキ色と基板形状が異なります。 GM71C4400Aを搭載したSIMM.

GM71C4400Bは1M×4ビットです. そしてGM71C1000Bは1M×4ビットです. The memory capacity and the function of this SIMM is not different from the SIMM with GM71C4400A and GM71C1000.

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (frontside)

Goldstar 30핀 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (backside)

  • マニュファクチャリング・カンパニー : ゴールドスターエレクトン
  • 製造年 : 1994
  • 製造国 : 韓国
  • モジュールの特長 : 30ピン, SIMM, パリティRAM
  • 記憶容量 : 1MB
  • 帯域幅 : 8ビット
  • スピード機能 : 70NS(tRACの)
  • チップ構成 : GM71C4400B × 2 + GM71C1000B

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B)

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400b-gmc71c1000b/feed/ 0 ゴールドスター1メガバイトDRAM 30ピンSIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) https://www.devicelog.com/ja/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400a-gmc71c1000/ https://www.devicelog.com/ja/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400a-gmc71c1000/#comments Tue, 02 Aug 2011 05:39:00 +0000 https://www.devicelog.com/?p=23-ja Goldstarは、Goldstar Electron Co.の商標です。, 株式会社. 社名をLGセミコンダクターに変更 (LGセミコン) で 1995, そしてそれはヒュンダイエレクトロニクス産業に合併されました (今のハイニックス) at 1999.

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A+GMC71C1000) (frontside)Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A+GMC71C1000) (backside)

  • マニュファクチャリング・カンパニー : Goldstar Electron
  • 製造年: 1993
  • 製造国 : 韓国
  • モジュールの特長 : 30ピン, DRAM, SIMM, パリティRAM
  • 記憶容量 : 1MB
  • 帯域幅 : 8ビット
  • スピード機能 : 70NS(tRACの)
  • チップ構成 : GM71C4400A× 2 + GM71C1000
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400a-gmc71c1000/feed/ 2 ヒュンダイ1メガバイトDRAM 30ピンSIMM https://www.devicelog.com/ja/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/ https://www.devicelog.com/ja/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/#comments Mon, 01 Aug 2011 16:12:29 +0000 https://www.devicelog.com/?p=5-ja このRAM 30ピン1メガバイトSIMMは、現代電子産業によって生産されます(今のハイニックス). 30-ピンSIMMはより普遍的に使用されました 80286 に 80486. チップの数が奇数である場合, one of the chips perform parity check.

このRAMは2 HY514400Aで構成されています(1Mのx 4ビット) そして1 HY531000A(1M X 1ビット). RAMのメモリ容量は1MBです. HY531000Aは、データチップであります, and HY531000A is parity chip.

Hyundai 30-pin 1MB SIMM (HY514400A × 2 + HT531000A)

  • メーカー : 現代電子産業株式会社, Ltd.
  • 製造年 : 1993
  • 製品の特徴 : 30-ピン, DRAM SIMM, パリティRAM
  • 記憶容量 : 1MB
  • 帯域幅 : 8ビット
  • スピード機能 : 70NS(tRACの)
  • チップ構成 : HY514400A × 2 + HY531000A (4×2 + 1 ビット)
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/feed/ 1