Samsung Electronics ha rilasciato moduli SDRAM DDR3 usando la tecnologia di processo 30nm nel mese di luglio 2010. Questo modulo RAM è stato fatto dalla tecnologia di processo a 40nm. Nome del prodotto Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Produttore Samsung Electronics (SEC) Paese di fabbricazione cinese Costruito nel / Settimana 2011/13 Capacità dati 4GB 1333Mhz Clock velocità (PC3-10600) Timing memoria […]

fabbricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Anno di costruzione : 1994 Paese di Produzione : Numero di parte della Corea del Sud : HYM532100AM-70 Fattore di forma : Tipo di memoria SIMM : Capacità di memoria DRAM EDO : 4Tipo di autobus MB : Memoria veloce delle pagine (FPM) Correzione dell'errore : Pin non di parità : 72pin Larghezza di banda : 32bit di latenza : 70ns (trac) Voltaggio […]

Nome del prodotto : numero Samsung SDRAM 32MB PC66 Parte : KMM366S403BTN-G0 Produttore : Samsung Electronics (SEC) Paese di Produzione : Corea del Sud Costruito / Settimana : 1997/33 Capacità dati : 32Velocità MB Clock : 66Mhz (PC66) Caratteristiche : 168perno, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM Data chip composition : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 chip VDD : 3.3V

Nome del prodotto : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (parti non originali) Numero parte : Produttore PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC : Samsung Electronics (SEC) Paese di Produzione : Corea del Sud Costruito / Settimana : 2003/33 Capacità dati : 512Velocità MB Clock : 400Mhz (PC3200) Caratteristiche : 184perno, Composizione del chip di dati DIMM SDRAM DDR senza buffer non ECC : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 Chip Data […]

Nome del prodotto : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2RX8 PC3-10600U-9-10-B0 Costruttore : EKmemory Paese di produzione : Capacità Corea del Sud dati : 2Velocità GB Clock : 1333Mhz (PC3-10600) Caratteristiche : 240perno, composizione di chip unbuffer Non ECC DDR3 SDRAM DIMM dati : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 tensione chip VDD : 1.5V Homepage : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = dram&n = 91