M368L6423DTM – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/it/ device, part, spec Thu, 02 Jun 2016 08:02:55 +0000 it hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/it/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/it/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-it M368L6423DTM è 32M bit x 64 Double Data Rate(DDR) Modulo di memoria SDRAM ad alta densità basato sulla quinta generazione di SDRAM DDR da 256 Mb rispettivamente. L'M368L6423DTM è composto da sedici CMOS 32M x 8 bit con SDRAM Double Data Rate a 4 banchi in TSOP-II a 66 pin(400mille) pacchetti montati su un substrato di vetro-resina epossidica a 184 pin. Quattro condensatori di disaccoppiamento 0.1uF sono montati sulla scheda del circuito stampato in parallelo per ogni DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Nome del prodotto DIMM Samsung DDR SDRAM PC2700 da 512 MB
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
fabbricante Samsung Electronics
Paese di Produzione Corea
Costruito / Settimana 2003/12
Capacità dati 512MB
velocità di clock 166Mhz (PC2700, DDR333)
Timing memoria CL = 2.5
Caratteristiche 184perno, DIMM, Unbuffer DDR SDRAM non ECC
Taglia 133.35mm × 31,75 mm
bit di dati 64po
banche modulo interno 4
Composizione chip di dati K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8 bit × 16 chip)
Pacchetto TSOP-II
tensione VDD 2.5V ± 0,2 V.
Caso Temperatura di esercizio Gamma 0° C ~ 85 ° C
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