fabbricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Anno di costruzione : 1994 Paese di Produzione : Numero di parte della Corea del Sud : HYM532100AM-70 Fattore di forma : Tipo di memoria SIMM : Capacità di memoria DRAM EDO : 4Tipo di autobus MB : Memoria veloce delle pagine (FPM) Correzione dell'errore : Pin non di parità : 72pin Larghezza di banda : 32bit di latenza : 70ns (trac) Voltaggio […]

Nome del prodotto : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2RX8 PC3-10600U-9-10-B0 Costruttore : EKmemory Paese di produzione : Capacità Corea del Sud dati : 2Velocità GB Clock : 1333Mhz (PC3-10600) Caratteristiche : 240perno, composizione di chip unbuffer Non ECC DDR3 SDRAM DIMM dati : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 tensione chip VDD : 1.5V Homepage : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = dram&n = 91

KMM591000AN-7 è composto da due chip KM44C1000AJ-7 e un chip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 è composto da due chip KM44C1000BJ-7 e un chip KM44C1000CJ-7. Sono SIMM DRAM da 1 MB prodotti da Samsung Electronics. Azienda manifatturiera : Anno di fabbricazione Samsung Electronics : 1992 / 1993 Paese di Produzione : Caratteristiche del modulo Corea del Sud : 30perno, SIMM, Capacità di memoria RAM di parità […]

EDO DRAM ha spazio di memoria temporaneo per I/O dati più veloci. È efficace quando il sistema non può ricevere il supporto della memoria cache. Ma se il sistema ha memoria cache, l'effetto di EDO DRAM è piccolo. fabbricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Costruito nel / Settimana : 1997/32 Paese di Produzione : Corea (Corea del Sud) Numero di parte […]

Questa RAM è un SIMM da 1 MB a 30 pin prodotto dall'industria Hyundai Electronics(Hynix di adesso). 30-pin SIMMs sono stati utilizzati universalmente da 80286 per 80486. Se il numero di chip è un numero dispari, uno dei chip esegue il controllo di parità. Questa RAM è composta da due HY514400A(1M x 4 bit) e un HY531000A(1M x 1 bit). La capacità di memoria di […]