https://www.devicelog.com/it/ device, part, spec Tue, 23 Mar 2021 10:33:05 +0000 it hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 https://www.devicelog.com/it/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/it/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-it

nome del prodotto	Memoria EK 2 GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
Numero di parte	EKM256S74BP8-E6
fabbricante	EK Memory
Paese di Produzione	Taiwan
Anno / settimana di costruzione del chip	2008/27
Tipo di modulo di memoria	DDR2 SO-DIMM 200 perno
Capacità dati	2GB
Velocità di clock	667Mhz (PC2-5300)
Timing memoria	CL = 5, tRCD = 5, tRP = 5
Caratteristiche	200perno unbuffered Non-ECC Taccuino(Il computer portatile) Memoria
Bit di dati	x64
Informazioni sul chip dati	EK20908A8A-3EG 20827 XCG248-UA3G
Pacchetto	FBGA (BGA a passo fine)
VDD Voltage	1.8V

 

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nome del prodotto	Samsung DDR2 SDRAM 2 GB 2R × 8 PC2-6400
Numero di parte	M378T5663QZ3-CF7
fabbricante	Samsung Electronics
Paese di Produzione	Cina
Costruito nel / Settimana	2009/04, 2010/07
Tipo di modulo di memoria	DIMM
Capacità dati	2GB
Velocità di clock	800Mhz (PC2-6400)
Timing memoria	CL = 6, tRCD = 6, tRP = 6
Caratteristiche	240perno, Unbuffer Non-ECC DDR2 SDRAM DIMM
Bit di dati	x64
Modulo interni delle banche	8
Ranks	2
Composizione del chip dati (Profondità × pezzi organizzazione Bit ×)	128M × 8 × 16 pezzi (K4T1G084QQ × 16 pezzi)
Pacchetto	60FBGA con Lead-Free e Halogen-Free (A norma RoHS)
Altezza	30mm
VDD Voltage	1.8V ± 0,1 V.
Caso Temperatura di esercizio Gamma	0° C ~ 95 ° C

 

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