fabbricante : LG Semicon Co., Ltd. Paese di Produzione : Numero di parte della Corea del Sud : ? Fattore di forma : Caratteristiche SIM : 72perno, EDO DRAM, Capacità di memoria senza parità : 16MB di larghezza di banda : 32bit Velocità : 60ns(trac) Voltaggio : 5Composizione del chip V : GM71C17400CJ6 × 8 Anno / settimana di costruzione del chip : 1998/27 Una capacità del chip : 4M […]

fabbricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Anno di costruzione : 1994 Paese di Produzione : Numero di parte della Corea del Sud : HYM532100AM-70 Fattore di forma : Tipo di memoria SIMM : Capacità di memoria DRAM EDO : 4Tipo di autobus MB : Memoria veloce delle pagine (FPM) Correzione dell'errore : Pin non di parità : 72pin Larghezza di banda : 32bit di latenza : 70ns (trac) Voltaggio […]

KMM591000AN-7 è composto da due chip KM44C1000AJ-7 e un chip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 è composto da due chip KM44C1000BJ-7 e un chip KM44C1000CJ-7. Sono SIMM DRAM da 1 MB prodotti da Samsung Electronics. Azienda manifatturiera : Anno di fabbricazione Samsung Electronics : 1992 / 1993 Paese di Produzione : Caratteristiche del modulo Corea del Sud : 30perno, SIMM, Capacità di memoria RAM di parità […]

EDO DRAM ha spazio di memoria temporaneo per I/O dati più veloci. È efficace quando il sistema non può ricevere il supporto della memoria cache. Ma se il sistema ha memoria cache, l'effetto di EDO DRAM è piccolo. fabbricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Costruito nel / Settimana : 1997/32 Paese di Produzione : Corea (Corea del Sud) Numero di parte […]