Samsung 256GB PM981 M.2 PCIe NVMe Performance OEM SSD (Controllore Fenice)

Samsung PM981 è il prodotto OEM derivato da Samsung 970 EVO.

Questa unità è dotata della nuova V-NAND a 64 strati di Samsung e di un controller ad alte prestazioni che offre fino a 3,000 MB/s di velocità di lettura sequenziale e 270,000 IOPS di lettura casuale.

Nella prima versione veniva utilizzato il controller di memoria Samsung Polaris V2, ma nella versione successiva è stato utilizzato il controller di memoria ARM Phoenix.

Per un po' è stato popolare per il suo buon rapporto qualità-prezzo.

nome del prodotto	Samsung 256GB PM981 M.2 PCIe NVMe Performance OEM SSD
Numero di parte	MZVLB256HAHQ-00000
Modello	MZ-VLB2560
Anno di rilascio	2017
fabbricante	Samsung
Paese di Produzione	Cina
PClassificazione del prodotto	SSD interno (Disco a stato solido)
Fattore di forma	M.2 (2280)
Interfaccia	PCIe 3.0 (x4) (32GT / s)
Interfaccia del controller host	NVMe 1.2
Catacità	256GB
Byte per settore	512Byte
Tipo di memoria	Memoria flash NAND, TLC
Struttura NAND	Samsung V-NAND V4 (NAND 3D TLC, 64-strati)
DRAM	○
Cache SLC	○
Prestazione	– Lettura sequenziale : 3000MB / s – Scrittura sequenziale : 1800MB / s – IOPS per la lettura : Max. 270K – IOPS per la scrittura : Max. 420K
Controllore della memoria	ARM Phoenix (S4LR020 S821HNQD 1842 ARM Phoenix)
Dissipatore di calore NVMe	non incluso
UBER	< 1 settore per 10 15 bit letti
MTBF	1.5 Milioni di ore
Temperatura	Operativo : 0°C~ 70°C Non in funzione : -40° C ~ 85 ° C
Umidità (senza condensa)	Non in funzione : 5 ~ 95%
Shock lineare	Non in funzione (0.5durata ms con 1/2 onda sinusoidale) : 1,500 Gpeak
Vibrazione	Non in funzione (20 ~ 2,000 Hz, Sinusoidale) : 20 Gpeak
Ondulazione/rumore di tensione (massimo)	100mV p-p
Consumo di energia	– Leggere (Tip, RMS) : 5.9W – Scrivere (Tip, RMS) : 5.7W – Inattivo (Tip) : 30mW – L1.2 (Tip) : 5mW
Larghezza	22.00 ± 0.15 mm
Lunghezza	80.00 ± 0.15 mm
Altezza	Max. 2.38 mm
Peso	Max. 9.0g