fabbricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Anno di costruzione : 1994 Paese di Produzione : Numero di parte della Corea del Sud : HYM532100AM-70 Fattore di forma : Tipo di memoria SIMM : Capacità di memoria DRAM EDO : 4Tipo di autobus MB : Memoria veloce delle pagine (FPM) Correzione dell'errore : Pin non di parità : 72pin Larghezza di banda : 32bit di latenza : 70ns (trac) Voltaggio […]

Nome del prodotto : numero Samsung SDRAM 32MB PC66 Parte : KMM366S403BTN-G0 Produttore : Samsung Electronics (SEC) Paese di Produzione : Corea del Sud Costruito / Settimana : 1997/33 Capacità dati : 32Velocità MB Clock : 66Mhz (PC66) Caratteristiche : 168perno, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM Data chip composition : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 chip VDD : 3.3V

Nome del prodotto : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (parti non originali) Numero parte : Produttore PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC : Samsung Electronics (SEC) Paese di Produzione : Corea del Sud Costruito / Settimana : 2003/33 Capacità dati : 512Velocità MB Clock : 400Mhz (PC3200) Caratteristiche : 184perno, Composizione del chip di dati DIMM SDRAM DDR senza buffer non ECC : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 Chip Data […]

Nome del prodotto : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2RX8 PC3-10600U-9-10-B0 Costruttore : EKmemory Paese di produzione : Capacità Corea del Sud dati : 2Velocità GB Clock : 1333Mhz (PC3-10600) Caratteristiche : 240perno, composizione di chip unbuffer Non ECC DDR3 SDRAM DIMM dati : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 tensione chip VDD : 1.5V Homepage : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = dram&n = 91

Nome del prodotto Samsung 4GB DDR3 SDRAM di memoria PC3-10600 (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Produttore Samsung Electronics (SEC) Paese di fabbricazione Corea del Sud Costruito / Settimana 2011/31 Capacità dati 4GB 1333Mhz Clock velocità (PC3-10600) Memory Timing CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9 Caratteristiche 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM dati bit x64 di profondità / organizzazione Bit 512M / x8 Module interno […]