ոչ իսկական – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/hy/ device, part, մասն Sat, 04 Jun 2016 15:05:16 +0000 hy hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, ոչ իսկական RAM) https://www.devicelog.com/hy/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/hy/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-hy Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • Ապրանքային անուն : Samsung DDR SDRAM 512 ՄԲ PC3200 (ոչ օրիգինալ մասեր)
  • Մասի համարը : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • Արտադրող : Samsung Electronics (SEC)
  • Արտադրման երկիր : Հարավային Կորեա
  • Կառուցել տարի/շաբաթ : 2003/33
  • Տվյալների հզորություն : 512ՄԲ
  • Ժամացույցի արագություն : 400Մհց (PC3200)
  • Հատկություններ : 184քորոց, Չբուֆերացված Non-ECC DDR SDRAM DIMM
  • Տվյալների չիպի կազմը : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 չիպսեր
  • Տվյալների բանկերը : 4 բանկեր
  • Թարմացման ընդմիջում : 7.8մս (8K/64ms թարմացում)
  • Կարդացեք լատանտությունը : 3 ժամացույց (CL3)
  • Պայթեցման երկարությունը : 2, 4, 8
  • Պայթեցման տեսակը : հաջորդական & ընդհատել
  • Պայթյունի թարմացման առավելագույն ցիկլը : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6V±0.1V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3