DDR – DeviceLog.com

HIS Radeon RX560 14CU GREEN iCooler OC GDDR5 2GB

DeviceLog.com — Sun, 25 Dec 2022 05:15:29 +0000

ապրանքային անուն	HIS Radeon RX560 14CU GREEN iCooler OC D5 2GB
Ապրանքի կոդը	HS-560J2SCNR
EAN կոդը	489 51390 12361
Իրականացման ամսաթիվ	2016.8.8.
Chipset Արտադրող	դրամ(Մենք ունեինք)
Տախտակ Արտադրող	Hightech Informaion System Ltd. (ՆՐԱ)
Արտադրության երկիր	Չինաստան
Հիշողության արտադրող	Էլպիդայի հիշողություն, Inc.
Chipset/GPU մոդել	դրամ Radeon RX 560 Սերիա AMD Radeon HD 560
GPU կոդը անունը	Բաֆին (Polaris 11)
GPU վերանայում	CF
GPU տեխնոլոգիա	14նմ
GPU Die Size	123մմ²
GPU ենթավաճառք	ԵՎ AIB
GPU Ժամացույց	Հիմք : 1145Մհց OC : 1196Մհց Բարձրացնել : 1176 ՄՀց
Հոսքի պրոցեսորներ (Հաշվարկային միավորներ)	896 (14ՄՄ)
Տեսանյութ RAM-ի տեսակը	GDDR5
Տեսանյութ RAM-ի չափը	2048ՄԲ (2ԳԲ)
Տեսանյութ RAM Ժամացույց	1500Մհց
Ավտոբուսի ինտերֆեյս	PCI Express 3.0 x 8
Ավտոբուսի լայնությունը	128քիչ
Ավտոբուսի արագություն	7.0Գբիթ/վրկ (112ԳԲ/վ)
Հաշվողական տեխնոլոգիաներ	OpenGL, DirectCompute, DirectML, Վուլկան
Էլեկտրաէներգիայի սպառում	Մաքս. 46Վ
Առաջարկվող էլեկտրամատակարարում	400W+
Հովացուցիչ	iCooler ( Երկու բնիկ 0dB , 11 x օդափոխիչի շեղբեր)
Վիդեո միակցիչներ	DVI × 1 HDMI × 1 DisplayPort(DP) × 1
Առավելագույն լուծում (մեկ ցուցադրման համար)	DP 1.4 : 5120 × 2880 @ 60 Հց HDMI 2.0b : 4096 × 2160 @ 60 Հց Dual-Link DVI-D Port : 2560 × 1600 @ 60 Հց
Հատկություններ	• Զրոյական օդափոխիչի գործառույթ • Լայնություն: 170մմ • Բարձրություն: 35մմ

EK հիշողություն 2 ԳԲ DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

DeviceLog.com — Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000

ապրանքային անուն	EK Memory 2GB DDR So-DIMM PC2-5300 CL5
Մասի համարը	EKM256S74BP8-E6
Արտադրող	EK հիշողություն
Արտադրության երկիր	Թայվան
Chip Build Year / շաբաթ	2008/27
Հիշողության մոդուլի տեսակը	DDR2 SO-DIMM 200 քորոց
Տվյալների հզորություն	2ԳԲ
Ժամացույցի արագություն	667Մհց (PC2-5300)
Հիշողության ժամանակացույց	CL = 5, TRCD = 5, TRP = 5
Հատկություններ	200քորոց Անսահմանափակ Ոչ ECC Տետր(Դյուրազգաց) Հիշողություն
Տվյալների բիտեր	x64
Տվյալների չիպի տեղեկատվություն	EK20908A8A-3EG 20827 XCG248-UA3G
Փաթեթ	FBGA (Fine-Pitch BGA)
VDD լարման	1.8Վ

Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD)

DeviceLog.com — Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000

ապրանքային անուն	Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11)
Մասի համարը	M378A2K43CB1-CTD (C-մահ)
Արտադրող	Samsung Electronics
Արտադրության երկիր	Չինաստան
Կառուցման տարի/շաբաթ	2019 / 06
DIMM տեսակը	UDIMM-ներ
Տվյալների հզորություն	16ԳԲ
Տվյալների տոկոսադրույքը (Առավելագույն թողունակություն)	2666.67 MT/s (21333.33 ՄԲ/վ)
Հիշողության ժամանակացույց (CL – tRCD – tRP – հետո – tRC)	19-19-19-43-61
Հատկություններ	288քորոց, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Տվյալների բիտեր	x64
Ներքին մոդուլի բանկեր	16 Բանկեր (4 Բանկային խմբեր)
Շարքեր	2 (Երկակի աստիճան)
Բաղադրիչի կազմը	(1G × 8) × 16 (K4A8G085WC-BCTD) × 16
Փաթեթ	78FBGA առանց կապարի & Հալոգենազերծ (RoHS-ին համապատասխան)
Բարձրություն	31.25 մմ
VDD լարման	1.2 V ± 0.06 Վ
Օպերացիոն պատյանի ջերմաստիճանի միջակայք	Թարմացման միջին ժամանակաշրջանը 7.8 us-ում՝ T-ից ցածր_ԴԵՊՔ 85℃, 3.9մեզ 85℃ < Տ_ԴԵՊՔ ≤ 95℃

Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD)

DeviceLog.com — Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000

ապրանքային անուն	Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11)
Մասի համարը	M378A1K43CB2-CTD (C-մահ)
Արտադրող	Samsung Electronics
Արտադրության երկիր	Չինաստան
Կառուցման տարի/շաբաթ	2018 / 28
DIMM տեսակը	UDIMM-ներ
Տվյալների հզորություն	8ԳԲ
Տվյալների տոկոսադրույքը (Առավելագույն թողունակություն)	2666.67 MT/s (21333.33 ՄԲ/վ)
Հիշողության ժամանակացույց (CL – tRCD – tRP – հետո – tRC)	19-19-19-43-61
Հատկություններ	288քորոց, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Տվյալների բիտեր	x64
Ներքին մոդուլի բանկեր	16 Բանկեր (4 Բանկային խմբեր)
Շարքեր	1 (Միայնակ կոչում)
Բաղադրիչի կազմը	(1G × 8) × 8 (K4A8G085WC-BCTD) × 8
Փաթեթ	78FBGA առանց կապարի & Հալոգենազերծ (RoHS-ին համապատասխան)
Բարձրություն	30մմ
VDD լարման	1.2V ± 0,06 Վ
Օպերացիոն պատյանի ջերմաստիճանի միջակայք	Թարմացման միջին ժամանակաշրջանը 7.8 us-ում՝ T-ից ցածր_ԴԵՊՔ 85℃, 3.9մեզ 85℃ < Տ_ԴԵՊՔ ≤ 95℃

Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

DeviceLog.com — Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000

ապրանքային անուն	Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400
Մասի համարը	M378T5663QZ3-CF7
Արտադրող	Samsung Electronics
Արտադրության երկիր	Չինաստան
Կառուցման տարի/շաբաթ	2009/04, 2010/07
Հիշողության մոդուլի տեսակը	DIMM
Տվյալների հզորություն	2ԳԲ
Ժամացույցի արագություն	800Մհց (PC2-6400)
Հիշողության ժամանակացույց	CL=6, tRCD=6, tRP=6
Հատկություններ	240քորոց, Չբուֆերացված Non-ECC DDR2 SDRAM DIMM
Տվյալների բիտեր	x64
Ներքին մոդուլի բանկեր	8
Շարքեր	2
Տվյալների չիպի կազմը (Խորություն × բիթերի կազմակերպում × հատ)	128M × 8 × 16 հատ (K4T1G084QQ × 16 հատ)
Փաթեթ	60FBGA առանց կապարի և հալոգենազուրկ (RoHS-ին համապատասխան)
Բարձրություն	30մմ
VDD լարման	1.8V±0.1V
Օպերացիոն պատյանի ջերմաստիճանի միջակայք	0°C ~ 95°C

Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, ոչ իսկական RAM)

DeviceLog.com — Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000

Ապրանքային անուն : Samsung DDR SDRAM 512 ՄԲ PC3200 (ոչ օրիգինալ մասեր)
Մասի համարը : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
Արտադրող : Samsung Electronics (SEC)
Արտադրման երկիր : Հարավային Կորեա
Կառուցել տարի/շաբաթ : 2003/33
Տվյալների հզորություն : 512ՄԲ
Ժամացույցի արագություն : 400Մհց (PC3200)
Հատկություններ : 184քորոց, Չբուֆերացված Non-ECC DDR SDRAM DIMM
Տվյալների չիպի կազմը : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 չիպսեր
Տվյալների բանկերը : 4 բանկեր
Թարմացման ընդմիջում : 7.8մս (8K/64ms թարմացում)
Կարդացեք լատանտությունը : 3 ժամացույց (CL3)
Պայթեցման երկարությունը : 2, 4, 8
Պայթեցման տեսակը : հաջորդական & ընդհատել
Պայթյունի թարմացման առավելագույն ցիկլը : 8
VDD, VDDQ : 2.6V±0.1V

eK հիշողություն 2 ԳԲ DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333 ՄՀց (2Rx8)

DeviceLog.com — Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000

Ապրանքային անուն : EK հիշողություն DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0
Արտադրող : EK հիշողություն
Արտադրման երկիր : Հարավային Կորեա
Տվյալների հզորություն : 2ԳԲ
Ժամացույցի արագություն : 1333Մհց (PC3-10600)
Հատկություններ : 240քորոց, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM
Տվյալների չիպի կազմը : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 չիպսեր
VDD լարումը : 1.5Վ
Գլխավոր էջ : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=դրամ&no=91

Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333 ՄՀց (2Rx8, Կորեա)

DeviceLog.com — Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000

Ապրանքային անուն	Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Memory (2Rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
Արտադրող	Samsung Electronics (SEC)
Արտադրման երկիր	Հարավային Կորեա
Կառուցել տարի/շաբաթ	2011/31
Տվյալների հզորություն	4ԳԲ
Ժամացույցի արագություն	1333Մհց (PC3-10600)
Հիշողության ժամանակացույց	CL=9, tRCD=9, tRP=9
Հատկություններ	240քորոց, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM
Տվյալների բիթերը	x64
Խորություն / Բիթ կազմակերպում	512Մ / x8
Ներքին մոդուլի բանկեր	8
Շարքեր	2
Տվյալների չիպի կազմը	[SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 չիպսեր (256Mbit ✕ 8 ✕ 16 հատ)
Բաղադրիչի վերանայում	4րդ սերունդ
Փաթեթ	FBGA (Առանց կապարի & Հալոգեն ազատ)
Բարձրություն	30մմ
VDD լարումը	1.5Վ
Օպերացիոն պատյանի ջերմաստիճանի միջակայք	0°C ~ 85°C

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800)

DeviceLog.com — Thu, 25 Oct 2012 01:49:42 +0000

A-DATA Viesta DDR600 Viesta հիշողություն, DDR SDRAM հիշողության մոդուլներում, Samsung TCCD հիշողության չիպերի միջոցով առաջին անգամ ձեռք բերեց 600 ՄՀց ժամացույցի արագություն. A-data Viesta-ի տվյալների հզորությունը եղել է 512 ՄԲ կամ 256 ՄԲ. It was mostly used for ovcrclocking.

ապրանքային անուն
- A-DATA Vitesta DDR600 512 ՄԲ
Մասի համարը
- MDOSSLF3H47A0B1G0Z
Արտադրող
- Ա-ՏՎՅԱԼՆԵՐ
Արտադրման երկիր
- Թայվան
Կառուցման տարի
- 2004
Հատկություններ
- 184քորոց
- Չբուֆերացված ոչ ECC DDR SDRAM
Տվյալների հզորություն
- 512ՄԲ
Ժամացույցի արագություն
- 600Մհց (PC4800)
Լարման
- 2.8±0.1V
Չիպի կազմը
- Samsung TCCD 16 չիպսեր
PCB բարձրություն
- 31.75մմ, 6 շերտերը
Օպերացիոն պատյանի ջերմաստիճանի միջակայք
- 0~ 95℃
Մոդուլային բանկ
- 2 ֆիզիկական բանկ

ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

DeviceLog.com — Fri, 09 Mar 2012 07:39:10 +0000

ապրանքային անուն : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1
Մասի համարը : EBJ21UE8BFU0-DJ-F
Արտադրող : ԷԼՊԻԴԱ
Արտադրման երկիր : Թայվան
Կառուցման տարի/շաբաթ : 2010/38
Ձևի գործոն : DDR3 SO-DIMM
Հատկություններ : 204քորոց, Ոչ ECC
Հիշողության հզորություն : 2ԳԲ
Տվյալների առավելագույն արագություն : 1333Մբիթ/վրկ
Լարման : 1.5Վ
Կազմակերպություն : 256M բառեր × 64 բիթ, 2 շարքերում
Չիպի կազմը : J1108BFBG-DJ-F × 16
Լատենտություն (CL-tRCD-tRP) : 9-9-9
PCB բարձրություն : 30մմ
Օպերացիոն պատյանի ջերմաստիճանի միջակայք : 0~ 95℃