Արտադրող : LG Semicon Co., ՍՊԸ. Արտադրման երկիր : Հարավային Կորեա Մասի համարը : ? Ձևի գործոն : SIMM-ի առանձնահատկությունները : 72քորոց, EDO DRAM, Ոչ հավասարաչափ հիշողության հզորություն : 16ՄԲ թողունակություն : 32բիթ Արագություն : 60ns(tRAC) Լարման : 5V Chip կազմը : GM71C17400CJ6 × 8 Chip Build Year / շաբաթ : 1998/27 Մեկ չիպի հզորություն : 4Մ […]

Արտադրող : Hyundai Electronics Industries Co., ՍՊԸ. Կառուցման տարի : 1994 Արտադրման երկիր : Հարավային Կորեա Մասի համարը : HYM532100AM-70 Form Factor : SIMM Հիշողության տեսակը : EDO DRAM հիշողության հզորություն : 4ՄԲ ավտոբուսի տեսակը : Էջի արագ հիշողություն (FPM) Սխալի ուղղում : Ոչ հավասարաչափ կապում : 72փին թողունակություն : 32bit Latency : 70ns (tRAC) Լարման […]

EDO DRAM-ն ունի ժամանակավոր հիշողության տարածություն ավելի արագ տվյալների մուտքի/ելքի համար. Այն արդյունավետ է, երբ համակարգը չի կարող ստանալ քեշի հիշողության աջակցություն. Բայց եթե համակարգն ունի քեշի հիշողություն, EDO DRAM-ի ազդեցությունը քիչ է. Արտադրող : Hyundai Electronics Industries Co., ՍՊԸ. Կառուցման տարի/շաբաթ : 1997/32 Արտադրման երկիր : Կորեա (Հարավային Կորեա) Մասի համարը […]