1.2վիճակ – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/hy/ device, part, մասն Wed, 06 Nov 2019 11:16:37 +0000 hy hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/hy/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/hy/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-hy SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

ապրանքային անուն Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
Մասի համարը M378A2K43CB1-CTD
(C-մահ)
Արտադրող Samsung Electronics
Արտադրության երկիր Չինաստան
Կառուցման տարի/շաբաթ 2019 / 06
DIMM տեսակը UDIMM-ներ
Տվյալների հզորություն 16ԳԲ
Տվյալների տոկոսադրույքը
(Առավելագույն թողունակություն)		 2666.67 MT/s
(21333.33 ՄԲ/վ)
Հիշողության ժամանակացույց
(CL – tRCD – tRP – հետո – tRC)		 19-19-19-43-61
Հատկություններ 288քորոց, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Տվյալների բիտեր x64
Ներքին մոդուլի բանկեր 16 Բանկեր (4 Բանկային խմբեր)
Շարքեր 2 (Երկակի աստիճան)
Բաղադրիչի կազմը (1G × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
Փաթեթ 78FBGA առանց կապարի & Հալոգենազերծ
(RoHS-ին համապատասխան)
Բարձրություն 31.25 մմ
VDD լարման 1.2 V ± 0.06 Վ
Օպերացիոն պատյանի ջերմաստիճանի միջակայք Թարմացման միջին ժամանակաշրջանը 7.8 us-ում՝ T-ից ցածրԴԵՊՔ 85℃,
3.9մեզ 85℃ < ՏԴԵՊՔ ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/hy/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/hy/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-hy SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

ապրանքային անուն Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
Մասի համարը M378A1K43CB2-CTD
(C-մահ)
Արտադրող Samsung Electronics
Արտադրության երկիր Չինաստան
Կառուցման տարի/շաբաթ 2018 / 28
DIMM տեսակը UDIMM-ներ
Տվյալների հզորություն 8ԳԲ
Տվյալների տոկոսադրույքը
(Առավելագույն թողունակություն)		 2666.67 MT/s
(21333.33 ՄԲ/վ)
Հիշողության ժամանակացույց
(CL – tRCD – tRP – հետո – tRC)		 19-19-19-43-61
Հատկություններ 288քորոց, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Տվյալների բիտեր x64
Ներքին մոդուլի բանկեր 16 Բանկեր (4 Բանկային խմբեր)
Շարքեր 1 (Միայնակ կոչում)
Բաղադրիչի կազմը (1G × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
Փաթեթ 78FBGA առանց կապարի & Հալոգենազերծ
(RoHS-ին համապատասխան)
Բարձրություն 30մմ
VDD լարման 1.2V ± 0,06 Վ
Օպերացիոն պատյանի ջերմաստիճանի միջակայք Թարմացման միջին ժամանակաշրջանը 7.8 us-ում՝ T-ից ցածրԴԵՊՔ 85℃,
3.9մեզ 85℃ < ՏԴԵՊՔ ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0