Samsung 256GB PM981 M.2 PCIe NVMe Performance OEM SSD (Phoenix Controller)

Samsung PM981-ը Samsung-ից ստացված OEM արտադրանքն է 970 EVO.

Այս սկավառակն ունի Samsung-ի նոր 64-շերտ V-NAND-ը և բարձր արդյունավետության կարգավորիչը, որն ապահովում է մինչև 3,000 ՄԲ/վ հաջորդական ընթերցման թողունակությունը և 270,000 պատահական ընթերցված IOPS.

Վաղ տարբերակում օգտագործվել է Samsung Polaris V2 հիշողության կարգավորիչը, but ARM Phoenix memory controller was used in the later version.

It was popular for a while because of its good value for money.

ապրանքային անուն	Samsung 256GB PM981 M.2 PCIe NVMe Performance OEM SSD
Մասի համարը	MZVLB256HAHQ-00000
Մոդել	MZ-VLB2560
Realeased Year	2017
Արտադրող	Samsung
Արտադրության երկիր	Չինաստան
Իմաստroduct Classification	Internal SSD (Solid State Drive)
Ձևի գործոն	Մ.2 (2280)
Միջերես	PCIe 3.0 (x4) (32GT/s)
Host Controller Interface	NVMe 1.2
Catacity	256ԳԲ
Byte per Sector	512Byte
Memory Type	NAND Flash Memory, TLC
NAND Structure	Samsung V-NAND V4 (TLC 3D NAND, 64-layers)
ԴՐԱՄ	○
SLC Caching	○
Performance	– Sequential Read : 3000ՄԲ/վ – Sequential Write : 1800ՄԲ/վ – IOPS for read : Մաքս. 270k – IOPS for write : Մաքս. 420k
Memory Controller	ARM Phoenix (S4LR020 S821HNQD 1842 ARM Phoenix)
NVMe Heat Sink	not included
UBER	< 1 sector per 10 15 bits read
MTBF	1.5 Million Hours
Temperature	Գործող : 0°C ~ 70°C Չգործող : -40°C ~ 85°C
Humidity (non-condensing)	Չգործող : 5 ~ 95%
Գծային ցնցում	Չգործող (0.5ms duration with 1/2 sine wave) : 1,500 Gpeak
Vibration	Չգործող (20 ~ 2,000 Հց, Sinusoidal) : 20 Gpeak
Voltage Ripple/Noise (max.)	100mV p-p
Էլեկտրաէներգիայի սպառում	– Read (Typ, RMS) : 5.9Վ – Write (Typ, RMS) : 5.7Վ – Պարապ (Typ) : 30mW – L1.2 (Typ) : 5mW
Width	22.00 ± 0.15 մմ
Length	80.00 ± 0.15 մմ
Բարձրություն	Մաքս. 2.38 մմ
Քաշը	Մաքս. 9.0է