SIMM – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/hi/ device, part, कल्पना Mon, 11 Jul 2022 17:33:11 +0000 hi hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 एलजी सेमीकॉन 16एमबी ईडीओ-डीआरएएम 72पिन सिम (GM71C17400CJ6) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/#comments Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1336-hi LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM backside

  • उत्पादक : एलजी सेमीकॉन कंपनी, Ltd.
  • विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया
  • भाग संख्या : ?
  • बनाने का कारक : SIMM
  • विशेषताएं : 72पिन, EDO DRAM, गैर समता
  • याददाश्त क्षमता : 16एमबी
  • बैंडविड्थ : 32बिट
  • रफ़्तार : 60एनएस(Trac)
  • वोल्टेज : 5वी
  • चिप रचना : GM71C17400CJ6 × 8
  • चिप निर्माण वर्ष/सप्ताह : 1998/27
  • एक चिप क्षमता : 4एम एक्स 4 बिट
  • वगैरह : एडोनिक्स®, एसडी816
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/feed/ 1 हुंडई 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-4mb-edo-dram-simm-hym532100am-70/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-4mb-edo-dram-simm-hym532100am-70/#respond Fri, 15 Mar 2013 07:26:42 +0000 https://www.devicelog.com/?p=739-hi Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM

Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM

  • उत्पादक : हुंडई इलेक्ट्रॉनिक्स इंडस्ट्रीज कंपनी, Ltd.
  • निर्माण वर्ष : 1994
  • विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया
  • भाग संख्या : HYM532100AM-70
  • बनाने का कारक : SIMM
  • मेमोरी प्रकार : EDO DRAM
  • याददाश्त क्षमता : 4एमबी
  • बस का प्रकार : तेज़ पेज मेमोरी (एफ पी एम)
  • त्रुटि सुधार : गैर समता
  • पिंस : 72पिन
  • बैंडविड्थ : 32बिट
  • विलंब : 70एनएस (Trac)
  • वोल्टेज : 5वी
  • चिप रचना : [HY514400A J-70] × 8
  • एक चिप क्षमता : 1एम एक्स 4 बिट
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-4mb-edo-dram-simm-hym532100am-70/feed/ 0 सैमसंग 1MB DRAM 30pin SIMM https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/original-dram/samsung-30pin-1mb-dram-simm/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/original-dram/samsung-30pin-1mb-dram-simm/#comments Fri, 18 May 2012 11:01:28 +0000 https://www.devicelog.com/?p=326-hi
Samsung 1MB DRAM SIMM backside (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

Samsung 1MB DRAM SIMM backside (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 दो KM44C1000AJ-7 चिप्स और एक KM44C1000CJ-7 चिप से बना है. KMM591000BN-7 दो KM44C1000BJ-7 चिप्स और एक KM44C1000CJ-7 चिप से बना है. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics.

  • निर्माण कंपनी : सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स
  • निर्मित वर्ष : 1992 / 1993
  • विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया
  • मॉड्यूल सुविधाएँ : 30पिन, SIMM, पैरिटी रैम
  • याददाश्त क्षमता : 1एमबी
  • बैंडविड्थ : 8बिट
  • स्पीड फीचर : 70एनएस(Trac)
  • चिप रचना :
    KMM591000AN-7 = KM44C1000AJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
    KMM591000BN-7 = KM44C1000BJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/samsung-30pin-1mb-dram-simm/feed/ 1 हुंडई 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/#comments Thu, 04 Aug 2011 13:39:13 +0000 https://www.devicelog.com/?p=110-hi EDO DRAM में तेज़ डेटा I/O के लिए अस्थायी मेमोरी स्पेस है. यह तब प्रभावी होता है जब सिस्टम कैश मेमोरी समर्थन प्राप्त नहीं कर पाता है. लेकिन अगर सिस्टम में कैश मेमोरी है, the effect of EDO DRAM is little.

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Frontside)

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Backside)

  • उत्पादक : हुंडई इलेक्ट्रॉनिक्स इंडस्ट्रीज कंपनी, Ltd.
  • वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें : 1997/32
  • विनिर्माता देश : कोरिया (दक्षिण कोरिया)
  • भाग संख्या : HYM532414 BM-60
  • बनाने का कारक : SIMM
  • विशेषताएं : 72पिन, EDO DRAM, गैर समता
  • याददाश्त क्षमता : 16एमबी
  • बैंडविड्थ : 32बिट
  • रफ़्तार : 60एनएस(Trac)
  • वोल्टेज : 5वी
  • चिप रचना : HY5117404B(जे-60) × 8
  • एक चिप क्षमता : 4एम एक्स 4 बिट
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/feed/ 1 गोल्डस्टार 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400b-gmc71c1000b/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400b-gmc71c1000b/#respond Tue, 02 Aug 2011 09:45:54 +0000 https://www.devicelog.com/?p=46-hi यह SIMM सुनहरे रंग से मढ़वाया गया है. इस SIMM का प्लेटिंग कलर और बोर्ड फॉर्म अलग होता है GM71C4400A के साथ SIMM.

GM71C4400B 1M × 4 बिट है. और GM71C1000B 1M × 4 बिट है. The memory capacity and the function of this SIMM is not different from the SIMM with GM71C4400A and GM71C1000.

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (frontside)

Goldstar 30핀 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (backside)

  • निर्माण कंपनी : गोल्डस्टार इलेक्शन
  • निर्मित वर्ष : 1994
  • विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया
  • मॉड्यूल सुविधाएँ : 30पिन, SIMM, पैरिटी रैम
  • याददाश्त क्षमता : 1एमबी
  • बैंडविड्थ : 8बिट
  • स्पीड फीचर : 70एनएस(Trac)
  • चिप रचना : GM71C4400B × 2 + GM71C1000B

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B)

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400b-gmc71c1000b/feed/ 0 गोल्डस्टार 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400a-gmc71c1000/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400a-gmc71c1000/#comments Tue, 02 Aug 2011 05:39:00 +0000 https://www.devicelog.com/?p=23-hi गोल्डस्टार गोल्डस्टार इलेक्ट्रॉन कंपनी का ट्रेडमार्क है, लिमिटेड. इसने अपना नाम एलजी सेमीकंडक्टर में बदल लिया (एलजी सेमीकॉन) पर 1995, और इसे हुंडई इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योग में मिला दिया गया (अब के Hynix) at 1999.

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A+GMC71C1000) (frontside)Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A+GMC71C1000) (backside)

  • निर्माण कंपनी : गोल्डस्टार इलेक्ट्रॉन
  • निर्मित वर्ष: 1993
  • विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया
  • मॉड्यूल सुविधाएँ : 30पिन, DRAM, SIMM, पैरिटी रैम
  • याददाश्त क्षमता : 1एमबी
  • बैंडविड्थ : 8बिट
  • स्पीड फीचर : 70एनएस(Trac)
  • चिप रचना : GM71C4400A × 2 + GM71C1000
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400a-gmc71c1000/feed/ 2 हुंडई 1MB DRAM 30pin SIMM https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/#comments Mon, 01 Aug 2011 16:12:29 +0000 https://www.devicelog.com/?p=5-hi यह रैम हुंडई इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योग द्वारा उत्पादित 30-पिन 1 एमबी सिम है(अब के Hynix). 30-पिन SIMM का उपयोग सार्वभौमिक रूप से किया गया था 80286 सेवा 80486. यदि चिप्स की संख्या विषम संख्या है, one of the chips perform parity check.

यह रैम दो HY514400A से बना है(1एम एक्स 4 बिट) और एक HY531000A(1एम एक्स 1bit). रैम की मेमोरी क्षमता 1 एमबी है. HY531000A डेटा चिप है, and HY531000A is parity chip.

Hyundai 30-pin 1MB SIMM (HY514400A × 2 + HT531000A)

  • उत्पादक : हुंडई इलेक्ट्रॉनिक्स इंडस्ट्रीज कंपनी, Ltd.
  • निर्मित वर्ष : 1993
  • उत्पाद की विशेषताएँ : 30-पिन, घूंट SIMM, पैरिटी रैम
  • याददाश्त क्षमता : 1एमबी
  • बैंडविड्थ : 8बिट
  • स्पीड फीचर : 70एनएस(Trac)
  • चिप रचना : HY514400A × 2 + HY531000A (4× 2 + 1 बिट्स)
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/feed/ 1