गैर ECC – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/hi/ device, part, कल्पना Tue, 23 Mar 2021 10:33:05 +0000 hi hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 एक मेमोरी 2जीबी डीडीआर2 एसओ-डीआईएमएम पीसी2-5300 सीएल5 ईकेएम256एस74बीपी8-ई6 https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-hi EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

उत्पाद का नाम EK मेमोरी 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
भाग संख्या EKM256S74BP8-E6
उत्पादक EK Memory
विनिर्माता देश ताइवान
चिप निर्माण वर्ष/सप्ताह 2008/27
मेमोरी मॉड्यूल प्रकार DDR2 SO-DIMM 200 पिन
डेटा क्षमता 2जीबी
घडी की गति 667मेगाहर्टज (पीसी2-5300)
मेमोरी टाइमिंग सीएल=5, टीआरसीडी=5, टीआरपी=5
विशेषताएं 200पिन
unbuffered
गैर ECC
स्मरण पुस्तक(लैपटॉप) याद
डेटा बिट्स 64
डेटा चिप जानकारी EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
पैकेज एफबीजीए (फाइन-पिच बीजीए)
वीडीडी वोल्टेज 1.8वी

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-सीटीडी) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-hi SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

उत्पाद का नाम सैमसंग DDR4 SDRAM 16GB 2R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
भाग संख्या M378A2K43CB1-सीटीडी
(सी-डाई)
उत्पादक सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स
विनिर्माता देश चीन
वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें 2019 / 06
DIMM प्रकार उडिम
डेटा क्षमता 16जीबी
आधार - सामग्री दर
(अधिकतम बैंडविड्थ)		 2666.67 मीट्रिक टन / एस
(21333.33 एमबी/एस)
मेमोरी टाइमिंग
(क्लोरीन – टीआरसीडी – टीआरपी – बाद – टीआरसी)		 19-19-19-43-61
विशेषताएं 288पिन, अनबफ़र नॉन-ECC DDR4 DIMM DIMM
डेटा बिट्स 64
आंतरिक मॉड्यूल बैंक 16 बैंकों (4 बैंक समूह)
रैंक 2 (दोहरी रैंक)
घटक रचना (1जी × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
पैकेज 78लीड-फ्री के साथ एफबीजीए & हैलोजन मुक्त
(ROHS आज्ञाकारी)
ऊंचाई 31.25 मिमी
वीडीडी वोल्टेज 1.2 V ± 0.06 वी
ऑपरेटिंग केस तापमान रेंज औसत ताज़ा अवधि 7.8us कम पर फिर टीमामला 85℃,
3.9हमें 85 ℃ पर < टीमामला ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-सीटीडी) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-hi SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

उत्पाद का नाम सैमसंग DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
भाग संख्या M378A1K43CB2-सीटीडी
(सी-डाई)
उत्पादक सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स
विनिर्माता देश चीन
वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें 2018 / 28
DIMM प्रकार उडिम
डेटा क्षमता 8जीबी
आधार - सामग्री दर
(अधिकतम बैंडविड्थ)		 2666.67 मीट्रिक टन / एस
(21333.33 एमबी/एस)
मेमोरी टाइमिंग
(क्लोरीन – टीआरसीडी – टीआरपी – बाद – टीआरसी)		 19-19-19-43-61
विशेषताएं 288पिन, अनबफ़र नॉन-ECC DDR4 DIMM DIMM
डेटा बिट्स 64
आंतरिक मॉड्यूल बैंक 16 बैंकों (4 बैंक समूह)
रैंक 1 (एकल रैंक)
घटक रचना (1जी × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
पैकेज 78लीड-फ्री के साथ एफबीजीए & हैलोजन मुक्त
(ROHS आज्ञाकारी)
ऊंचाई 30मिमी
वीडीडी वोल्टेज 1.2वी ± 0.06 वी
ऑपरेटिंग केस तापमान रेंज औसत ताज़ा अवधि 7.8us कम पर फिर टीमामला 85℃,
3.9हमें 85 ℃ पर < टीमामला ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 सैमसंग 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, गैर-प्रमाणिक रैम) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-hi Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • प्रोडक्ट का नाम : सैमसंग डीडीआर एसडीआरएएम 512एमबी पीसी3200 (गैर-असली हिस्से)
  • भाग संख्या : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • उत्पादक : सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स (सेकंड)
  • विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया
  • वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें : 2003/33
  • डेटा क्षमता : 512एमबी
  • घडी की गति : 400मेगाहर्टज (पीसी3200)
  • विशेषताएं : 184पिन, अनबफ़र्ड नॉन-ईसीसी डीडीआर एसडीआरएएम डीआईएमएम
  • डेटा चिप संरचना : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 चिप्स
  • डेटा बैंक : 4 बैंकों
  • ताजा अंतराल : 7.8μs (8K/64ms ताज़ा करें)
  • विलंबता पढ़ें : 3 घड़ी (CL3)
  • फटने की लंबाई : 2, 4, 8
  • फटने का प्रकार : अनुक्रमिक & बीच में छोड़ना
  • अधिकतम बर्स्ट ताज़ा चक्र : 8
  • वीडीडी, वीडीडीक्यू : 2.6वी±0.1वी
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3 सैमसंग 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2RX8, कोरिया) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-hi Samsung DDR3 SDRAM 4GB Memory DIMM (2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131)

प्रोडक्ट का नाम सैमसंग 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 मेमोरी
(2RX8, पीसी3-10600यू-09-10-उ0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
उत्पादक सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स (सेकंड)
विनिर्माता देश दक्षिण कोरिया
वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें 2011/31
डेटा क्षमता 4जीबी
घडी की गति 1333मेगाहर्टज (PC3-10600)
मेमोरी टाइमिंग सीएल=9, टीआरसीडी=9, टीआरपी=9
विशेषताएं 240पिन, अनबफ़र नॉन-ईसीसी DDR3 SDRAM DIMM
डेटा बिट्स 64
गहराई / बिट संगठन 512एम / x8
आंतरिक मॉड्यूल बैंक 8
रैंक 2
डेटा चिप संरचना [एसईसी एचसीएच9 के4बी2जी0846डी] ✕ 16 चिप्स
(256एमबीटी ✕ 8 ✕ 16 पीसी)
घटक पुनरीक्षण 4वें पीढ़ी
पैकेज एफबीजीए (सीसा मुक्त & हैलोजन मुक्त)
ऊंचाई 30मिमी
वीडीडी वोल्टेज 1.5वी
ऑपरेटिंग केस तापमान रेंज 0डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0 सैमसंग 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1RX8, चीन) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/#comments Wed, 09 Jan 2013 14:20:55 +0000 https://www.devicelog.com/?p=557-hi Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

प्रोडक्ट का नाम सैमसंग DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB मेमोरी
(1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1)
उत्पादक सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स
विनिर्माता देश चीन
वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें 2010/38
डेटा क्षमता 2जीबी
घडी की गति 1333मेगाहर्टज (PC3-10600)
विशेषताएं 240पिन, अनबफ़र नॉन-ईसीसी DDR3 SDRAM DIMM
उत्पादन प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 40एनएम
डेटा बिट्स 64
आंतरिक मॉड्यूल बैंक 8
डेटा चिप संरचना [एसईसी एचसीएच9 के4बी2जी0846सी] ✕ 8 चिप्स
गहराई / बिट संगठन 256एम / x8
घटक पुनरीक्षण 4वें पीढ़ी
पैकेज एफबीजीए (सीसा मुक्त & हैलोजन मुक्त)
ऊंचाई 30मिमी
वीडीडी वोल्टेज 1.5वी
ऑपरेटिंग केस तापमान रेंज 0डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/feed/ 6