DRAM – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/hi/ device, part, कल्पना Thu, 01 Dec 2022 23:32:55 +0000 hi hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 सैमसंग 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/#respond Wed, 20 Jul 2022 09:33:56 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1358-hi Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0) backside

  • प्रोडक्ट का नाम : सैमसंग 16एमबी एसडीआरएएम 16एमबी पीसी66
  • भाग संख्या : KMM366S203CTL-G0
  • उत्पादक : सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स कंपनी, लिमिटेड. (सेकंड)
  • विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया
  • वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें : 1998/09
  • डेटा क्षमता : 16एमबी
  • घडी की गति : 66मेगाहर्टज (पीसी66)
  • विशेषताएं : 168 पिन, अनबफ़र्ड नॉन-ईसीसी एसडीआरएएम डीआईएमएम
  • डेटा चिप संरचना : [KM48S2020CT-G10] × 8 चिप्स
    (2एम × 64 बिट)
  • एक चिप जानकारी
    • KM48S2020CT-G10 (UQK218EM या UQL004DD)
    • मेमोरी आईसी प्रकार : तुल्यकालिक DRAM
    • क्षमता : 2एम एक्स 8 बिट
    • पहुंच समय-अधिकतम : 7 एनएस
    • इंटरलीव्ड बर्स्ट लंबाई: 1, 2, 4, 8
    • घड़ी की आवृत्ति-अधिकतम (एफसीएलके) : 100 मेगाहर्ट्ज
    • 44 पिन
    • वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें : 1998/07
  • वीडीडी : 3.3वी
  • वगैरह : 366S203BTL, AD1055-00, एसएमबी294वी-0
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/feed/ 0 एलजी सेमीकॉन 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/#respond Fri, 15 Jul 2022 08:54:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1350-hi LG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM GMM2642233BLTG-10K 7101SLG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM 168pin DIMM

  • प्रोडक्ट का नाम : एलजी एसडीआरएएम 16एमबी पीसी66
  • भाग संख्या : GMM2642233BLTG-10K 7101S
  • उत्पादक : एलजी सेमीकॉन कंपनी, Ltd.
  • विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया
  • वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें : 1997/03
  • डेटा क्षमता : 16एमबी
  • घडी की गति : 66मेगाहर्टज (पीसी66)
  • विशेषताएं : 168पिन, अनबफ़र्ड नॉन-ईसीसी एसडीआरएएम डीआईएमएम
  • डेटा चिप संरचना : [GM72V16821BT10K] × 8 चिप्स
    (2एम × 64 बिट)
  • एक चिप क्षमता : 2एम एक्स 8 बिट
  • वीडीडी : 3.3वी
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/feed/ 0 एलजी सेमीकॉन 16एमबी ईडीओ-डीआरएएम 72पिन सिम (GM71C17400CJ6) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/#comments Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1336-hi LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM backside

  • उत्पादक : एलजी सेमीकॉन कंपनी, Ltd.
  • विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया
  • भाग संख्या : ?
  • बनाने का कारक : SIMM
  • विशेषताएं : 72पिन, EDO DRAM, गैर समता
  • याददाश्त क्षमता : 16एमबी
  • बैंडविड्थ : 32बिट
  • रफ़्तार : 60एनएस(Trac)
  • वोल्टेज : 5वी
  • चिप रचना : GM71C17400CJ6 × 8
  • चिप निर्माण वर्ष/सप्ताह : 1998/27
  • एक चिप क्षमता : 4एम एक्स 4 बिट
  • वगैरह : एडोनिक्स®, एसडी816
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/feed/ 1 एक मेमोरी 2जीबी डीडीआर2 एसओ-डीआईएमएम पीसी2-5300 सीएल5 ईकेएम256एस74बीपी8-ई6 https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-hi EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

उत्पाद का नाम EK मेमोरी 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
भाग संख्या EKM256S74BP8-E6
उत्पादक EK Memory
विनिर्माता देश ताइवान
चिप निर्माण वर्ष/सप्ताह 2008/27
मेमोरी मॉड्यूल प्रकार DDR2 SO-DIMM 200 पिन
डेटा क्षमता 2जीबी
घडी की गति 667मेगाहर्टज (पीसी2-5300)
मेमोरी टाइमिंग सीएल=5, टीआरसीडी=5, टीआरपी=5
विशेषताएं 200पिन
unbuffered
गैर ECC
स्मरण पुस्तक(लैपटॉप) याद
डेटा बिट्स 64
डेटा चिप जानकारी EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
पैकेज एफबीजीए (फाइन-पिच बीजीए)
वीडीडी वोल्टेज 1.8वी

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-सीटीडी) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-hi SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

उत्पाद का नाम सैमसंग DDR4 SDRAM 16GB 2R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
भाग संख्या M378A2K43CB1-सीटीडी
(सी-डाई)
उत्पादक सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स
विनिर्माता देश चीन
वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें 2019 / 06
DIMM प्रकार उडिम
डेटा क्षमता 16जीबी
आधार - सामग्री दर
(अधिकतम बैंडविड्थ)		 2666.67 मीट्रिक टन / एस
(21333.33 एमबी/एस)
मेमोरी टाइमिंग
(क्लोरीन – टीआरसीडी – टीआरपी – बाद – टीआरसी)		 19-19-19-43-61
विशेषताएं 288पिन, अनबफ़र नॉन-ECC DDR4 DIMM DIMM
डेटा बिट्स 64
आंतरिक मॉड्यूल बैंक 16 बैंकों (4 बैंक समूह)
रैंक 2 (दोहरी रैंक)
घटक रचना (1जी × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
पैकेज 78लीड-फ्री के साथ एफबीजीए & हैलोजन मुक्त
(ROHS आज्ञाकारी)
ऊंचाई 31.25 मिमी
वीडीडी वोल्टेज 1.2 V ± 0.06 वी
ऑपरेटिंग केस तापमान रेंज औसत ताज़ा अवधि 7.8us कम पर फिर टीमामला 85℃,
3.9हमें 85 ℃ पर < टीमामला ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-सीटीडी) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-hi SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

उत्पाद का नाम सैमसंग DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
भाग संख्या M378A1K43CB2-सीटीडी
(सी-डाई)
उत्पादक सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स
विनिर्माता देश चीन
वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें 2018 / 28
DIMM प्रकार उडिम
डेटा क्षमता 8जीबी
आधार - सामग्री दर
(अधिकतम बैंडविड्थ)		 2666.67 मीट्रिक टन / एस
(21333.33 एमबी/एस)
मेमोरी टाइमिंग
(क्लोरीन – टीआरसीडी – टीआरपी – बाद – टीआरसी)		 19-19-19-43-61
विशेषताएं 288पिन, अनबफ़र नॉन-ECC DDR4 DIMM DIMM
डेटा बिट्स 64
आंतरिक मॉड्यूल बैंक 16 बैंकों (4 बैंक समूह)
रैंक 1 (एकल रैंक)
घटक रचना (1जी × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
पैकेज 78लीड-फ्री के साथ एफबीजीए & हैलोजन मुक्त
(ROHS आज्ञाकारी)
ऊंचाई 30मिमी
वीडीडी वोल्टेज 1.2वी ± 0.06 वी
ऑपरेटिंग केस तापमान रेंज औसत ताज़ा अवधि 7.8us कम पर फिर टीमामला 85℃,
3.9हमें 85 ℃ पर < टीमामला ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 सैमसंग 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/#respond Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1116-hi Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

उत्पाद का नाम सैमसंग DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400
भाग संख्या M378T5663QZ3-CF7
उत्पादक सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स
विनिर्माता देश चीन
वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें 2009/04, 2010/07
मेमोरी मॉड्यूल प्रकार DIMM
डेटा क्षमता 2जीबी
घडी की गति 800मेगाहर्टज (पीसी2-6400)
मेमोरी टाइमिंग सीएल=6, TRCD = 6, टीआरपी=6
विशेषताएं 240पिन, अनबफ़र्ड नॉन-ईसीसी DDR2 SDRAM DIMM
डेटा बिट्स 64
आंतरिक मॉड्यूल बैंक 8
रैंक 2
डेटा चिप संरचना
(गहराई × बिट संगठन × पीसी)		 128एम × 8 × 16पीसी
(K4T1G084QQ × 16पीसी)
पैकेज 60सीसा रहित और हैलोजन मुक्त के साथ एफबीजीए
(ROHS आज्ञाकारी)
ऊंचाई 30मिमी
वीडीडी वोल्टेज 1.8वी±0.1वी
ऑपरेटिंग केस तापमान रेंज 0डिग्री सेल्सियस ~ 95 डिग्री सेल्सियस

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/feed/ 0 सैमसंग 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2आर × 8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-hi Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

प्रोडक्ट का नाम सैमसंग 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
उत्पादक सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स
विनिर्माता देश फिलीपीन
वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें 2014/08
डेटा क्षमता 8जीबी
घडी की गति 1600मेगाहर्टज (पीसी3-12800)
मेमोरी टाइमिंग सीएल=11, टीआरसीडी=11, टीआरपी=11
विशेषताएं 240पिन, अनबफ़र नॉन-ईसीसी DDR3 SDRAM DIMM
उत्पादन प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 20, 30, 40एनएम
डेटा बिट्स 64
आंतरिक मॉड्यूल बैंक 8
रैंक 2
डेटा चिप संरचना
(गहराई × बिट संगठन × पीसी)		 512एम×8× 16 पीसी
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 पीसी)
पैकेज
78 एफबीजीए सीसा रहित के साथ & हैलोजन मुक्त
(ROHS आज्ञाकारी)
ऊंचाई 30मिमी
वीडीडी वोल्टेज 1.5वी ± 0.075 वी
ऑपरेटिंग केस तापमान रेंज 0डिग्री सेल्सियस ~ 95 डिग्री सेल्सियस

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 सैमसंग 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-hi M368L6423DTM 32M बिट x . है 64 दुगनी डाटा दर(डीडीआर) एसडीआरएएम उच्च घनत्व मेमोरी मॉड्यूल क्रमशः 256 एमबी डीडीआर एसडीआरएएम की पांचवीं पीढ़ी पर आधारित है. M368L6423DTM में सोलह CMOS 32M x . शामिल हैं 8 66पिन टीएसओपी-द्वितीय में 4बैंक डबल डेटा दर एसडीआरएएम के साथ बिट(400हज़ार) 184pin ग्लास-एपॉक्सी सब्सट्रेट पर लगे पैकेज. प्रत्येक डीडीआर एसडीआरएएम के लिए समानांतर में मुद्रित सर्किट बोर्ड पर चार 0.1uF डिकूपिंग कैपेसिटर लगाए गए हैं. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

प्रोडक्ट का नाम सैमसंग डीडीआर एसडीआरएएम पीसी2700 512एमबी डीआईएमएम
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
उत्पादक सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स
विनिर्माता देश कोरिया
वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें 2003/12
डेटा क्षमता 512एमबी
घडी की गति 166मेगाहर्टज (पीसी2700, डीडीआर333)
मेमोरी टाइमिंग सीएल = 2.5
विशेषताएं 184पिन, DIMM, अनबफर गैर-ईसीसी डीडीआर एसडीआरएएम
आकार 133.35मिमी × 31.75 मिमी
डेटा बिट्स 64बिट
आंतरिक मॉड्यूल बैंक 4
डेटा चिप संरचना K4H560838D-TCB3 × 16
(32एम × 8 बिट × 16चिप्स)
पैकेज टीएसओपी-द्वितीय
वीडीडी वोल्टेज 2.5V ± 0.2V
ऑपरेटिंग केस तापमान रेंज 0डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 सैमसंग 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-hi सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने जुलाई में 30nm प्रक्रिया प्रौद्योगिकी का उपयोग करके DDR3 SDRAM मॉड्यूल जारी किया 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

प्रोडक्ट का नाम सैमसंग DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2RX8, पीसी3-10600एस-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
उत्पादक सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स (सेकंड)
विनिर्माता देश चीन
वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें 2011/13
डेटा क्षमता 4जीबी
घडी की गति 1333मेगाहर्टज (PC3-10600)
मेमोरी टाइमिंग सीएल=9, टीआरसीडी=9, टीआरपी=9
विशेषताएं 204पिन, SODIMM, गैर-ईसीसी डीडीआर3 एसडीआरएएम अनबफर
उत्पादन प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 40एनएम
डेटा बिट्स 64
आंतरिक मॉड्यूल बैंक 8
रैंक 2
डेटा चिप संरचना 256एम एक्स 8 * 16 पीसी
घटक पुनरीक्षण 2जीबी, सी-डाई
पैकेज 78 गेंद एफबीजीए
ऊंचाई 30मिमी
वीडीडी वोल्टेज 1.5वी
ऑपरेटिंग केस तापमान रेंज 0डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3