DDR3 SDRAM – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/hi/ device, part, कल्पना Tue, 23 Mar 2021 10:34:01 +0000 hi hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 सैमसंग 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2आर × 8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-hi Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

प्रोडक्ट का नाम सैमसंग 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
उत्पादक सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स
विनिर्माता देश फिलीपीन
वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें 2014/08
डेटा क्षमता 8जीबी
घडी की गति 1600मेगाहर्टज (पीसी3-12800)
मेमोरी टाइमिंग सीएल=11, टीआरसीडी=11, टीआरपी=11
विशेषताएं 240पिन, अनबफ़र नॉन-ईसीसी DDR3 SDRAM DIMM
उत्पादन प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 20, 30, 40एनएम
डेटा बिट्स 64
आंतरिक मॉड्यूल बैंक 8
रैंक 2
डेटा चिप संरचना
(गहराई × बिट संगठन × पीसी)		 512एम×8× 16 पीसी
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 पीसी)
पैकेज
78 एफबीजीए सीसा रहित के साथ & हैलोजन मुक्त
(ROHS आज्ञाकारी)
ऊंचाई 30मिमी
वीडीडी वोल्टेज 1.5वी ± 0.075 वी
ऑपरेटिंग केस तापमान रेंज 0डिग्री सेल्सियस ~ 95 डिग्री सेल्सियस

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 सैमसंग 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-hi सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने जुलाई में 30nm प्रक्रिया प्रौद्योगिकी का उपयोग करके DDR3 SDRAM मॉड्यूल जारी किया 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

प्रोडक्ट का नाम सैमसंग DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2RX8, पीसी3-10600एस-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
उत्पादक सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स (सेकंड)
विनिर्माता देश चीन
वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें 2011/13
डेटा क्षमता 4जीबी
घडी की गति 1333मेगाहर्टज (PC3-10600)
मेमोरी टाइमिंग सीएल=9, टीआरसीडी=9, टीआरपी=9
विशेषताएं 204पिन, SODIMM, गैर-ईसीसी डीडीआर3 एसडीआरएएम अनबफर
उत्पादन प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 40एनएम
डेटा बिट्स 64
आंतरिक मॉड्यूल बैंक 8
रैंक 2
डेटा चिप संरचना 256एम एक्स 8 * 16 पीसी
घटक पुनरीक्षण 2जीबी, सी-डाई
पैकेज 78 गेंद एफबीजीए
ऊंचाई 30मिमी
वीडीडी वोल्टेज 1.5वी
ऑपरेटिंग केस तापमान रेंज 0डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3 EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2RX8) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/#comments Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000 https://www.devicelog.com/?p=643-hi EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) frontside

EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) backside

  • प्रोडक्ट का नाम : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0
  • उत्पादक : ईकेमेमोरी
  • विनिर्माता देश : दक्षिण कोरिया
  • डेटा क्षमता : 2जीबी
  • घडी की गति : 1333मेगाहर्टज (PC3-10600)
  • विशेषताएं : 240पिन, अनबफ़र नॉन-ईसीसी DDR3 SDRAM DIMM
  • डेटा चिप संरचना : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 चिप्स
  • वीडीडी वोल्टेज : 1.5वी
  • मुखपृष्ठ : एचटीटीपी://www.ekmemory.com/bbs/view.php?आईडी = नाटक&नहीं=91

EKmemory_DDR3_2GB_2Rx8_PC3-10600U-9-10-B0_package

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/feed/ 1 सैमसंग 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2RX8, कोरिया) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-hi Samsung DDR3 SDRAM 4GB Memory DIMM (2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131)

प्रोडक्ट का नाम सैमसंग 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 मेमोरी
(2RX8, पीसी3-10600यू-09-10-उ0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
उत्पादक सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स (सेकंड)
विनिर्माता देश दक्षिण कोरिया
वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें 2011/31
डेटा क्षमता 4जीबी
घडी की गति 1333मेगाहर्टज (PC3-10600)
मेमोरी टाइमिंग सीएल=9, टीआरसीडी=9, टीआरपी=9
विशेषताएं 240पिन, अनबफ़र नॉन-ईसीसी DDR3 SDRAM DIMM
डेटा बिट्स 64
गहराई / बिट संगठन 512एम / x8
आंतरिक मॉड्यूल बैंक 8
रैंक 2
डेटा चिप संरचना [एसईसी एचसीएच9 के4बी2जी0846डी] ✕ 16 चिप्स
(256एमबीटी ✕ 8 ✕ 16 पीसी)
घटक पुनरीक्षण 4वें पीढ़ी
पैकेज एफबीजीए (सीसा मुक्त & हैलोजन मुक्त)
ऊंचाई 30मिमी
वीडीडी वोल्टेज 1.5वी
ऑपरेटिंग केस तापमान रेंज 0डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0 सैमसंग 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1RX8, चीन) https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/#comments Wed, 09 Jan 2013 14:20:55 +0000 https://www.devicelog.com/?p=557-hi Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

प्रोडक्ट का नाम सैमसंग DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB मेमोरी
(1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1)
उत्पादक सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स
विनिर्माता देश चीन
वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें 2010/38
डेटा क्षमता 2जीबी
घडी की गति 1333मेगाहर्टज (PC3-10600)
विशेषताएं 240पिन, अनबफ़र नॉन-ईसीसी DDR3 SDRAM DIMM
उत्पादन प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 40एनएम
डेटा बिट्स 64
आंतरिक मॉड्यूल बैंक 8
डेटा चिप संरचना [एसईसी एचसीएच9 के4बी2जी0846सी] ✕ 8 चिप्स
गहराई / बिट संगठन 256एम / x8
घटक पुनरीक्षण 4वें पीढ़ी
पैकेज एफबीजीए (सीसा मुक्त & हैलोजन मुक्त)
ऊंचाई 30मिमी
वीडीडी वोल्टेज 1.5वी
ऑपरेटिंग केस तापमान रेंज 0डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/feed/ 6 ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1 https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/elpida-ddr3-so-dimm-2gb-pc3-10600s-9-10-f1/ https://www.devicelog.com/hi/memory/dram/ddr3-sdram/elpida-ddr3-so-dimm-2gb-pc3-10600s-9-10-f1/#comments Fri, 09 Mar 2012 07:39:10 +0000 https://www.devicelog.com/?p=256-hi ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Frontside

ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Rear

  • उत्पाद का नाम : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1
  • भाग संख्या : EBJ21UE8BFU0 डीजे-एफ
  • उत्पादक : एल्पिडा
  • विनिर्माता देश : ताइवान
  • वर्ष / सप्ताह का निर्माण करें : 2010/38
  • बनाने का कारक : DDR3 SO-DIMM
  • विशेषताएं : 204पिन, गैर ECC
  • याददाश्त क्षमता : 2जीबी
  • अधिकतम डेटा दर : 1333एमबीपीएस
  • वोल्टेज : 1.5वी
  • संगठन : 256एम शब्द × 64 बिट्स, 2 रैंक
  • चिप रचना : J1108BFBG-DJ-F × 16
  • विलंब (सीएल-tRCD टीआरपी) : 9-9-9
  • पीसीबी ऊंचाई : 30मिमी
  • ऑपरेटिंग केस तापमान रेंज : 0~ 95 ℃
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