DIMM – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/he/ device, part, מפרט Thu, 01 Dec 2022 23:32:55 +0000 he hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) https://www.devicelog.com/he/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/ https://www.devicelog.com/he/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/#respond Wed, 20 Jul 2022 09:33:56 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1358-he Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0) backside

  • שם מוצר : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66
  • מספר חלק : KMM366S203CTL-G0
  • יַצרָן : חברת סמסונג אלקטרוניקה, בע"מ. (SEC)
  • ארץ הייצור : דרום קוריאה
  • בנייה שנה/שבוע : 1998/09
  • קיבולת נתונים : 16MB
  • מהירות שעון : 66Mhz (PC66)
  • תכונות : 168 פִּין, Non-ECC SDRAM DIMM ללא מאגר
  • הרכב שבב נתונים : [KM48S2020CT-G10] × 8 צ'יפס
    (2M × 64bit)
  • מידע על שבב אחד
    • KM48S2020CT-G10 (UQK218EM או UQL004DD)
    • סוג IC זיכרון : DRAM סינכרוני
    • קיבולת : 2M x 8bit
    • גישה Time-Max : 7 ns
    • אורך פרץ משולבים: 1, 2, 4, 8
    • תדר שעון-מקס (fCLK) : 100 MHz
    • 44 פִּין
    • בנייה שנה/שבוע : 1998/07
  • VDD : 3.3V
  • וכו : 366S203BTL, AD1055-00, SMB2 94V-0
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/feed/ 0 LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S) https://www.devicelog.com/he/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/ https://www.devicelog.com/he/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/#respond Fri, 15 Jul 2022 08:54:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1350-he LG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM GMM2642233BLTG-10K 7101SLG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM 168pin DIMM

  • שם מוצר : LG SDRAM 16MB PC66
  • מספר חלק : GMM2642233BLTG-10K 7101S
  • יַצרָן : LG Semicon Co., Ltd.
  • ארץ הייצור : דרום קוריאה
  • בנייה שנה/שבוע : 1997/03
  • קיבולת נתונים : 16MB
  • מהירות שעון : 66Mhz (PC66)
  • תכונות : 168פִּין, Non-ECC SDRAM DIMM ללא מאגר
  • הרכב שבב נתונים : [GM72V16821BT10K] × 8 צ'יפס
    (2M × 64bit)
  • קיבולת שבב אחד : 2M x 8bit
  • VDD : 3.3V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/feed/ 0 Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/he/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/he/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-he SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

שם מוצר Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
מספר חלק M378A2K43CB1-CTD
(ג-ה)
יַצרָן סמסונג אלקטרוניקה
ארץ הייצור חרסינה
בנה שנה/שבוע 2019 / 06
סוג DIMM UDIMMs
קיבולת נתונים 16GB
קצב נתונים
(רוחב פס מקסימלי)		 2666.67 MT/s
(21333.33 MB/s)
תזמון זיכרון
(CL – tRCD – tRP – לְאַחַר – tRC)		 19-19-19-43-61
תכונות 288פִּין, ביטול מאגר ללא ECC DDR4 SDRAM DIMM
סיביות נתונים x64
בנקים מודול פנימי 16 בנקים (4 קבוצות בנקים)
מדרג 2 (דירוג כפול)
הרכב רכיבים (1G × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
חֲבִילָה 78FBGA עם נטול עופרת & ללא הלוגן
(תואם RoHS)
גוֹבַה 31.25 מ"מ
מתח VDD 1.2 V ± 0.06 V
טווח טמפרטורות מקרה תקופת רענון ממוצעת 7.8 us בשעה נמוכה יותר מ-Tמִקרֶה 85℃,
3.9אותנו ב-85℃ < טמִקרֶה ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/he/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/he/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-he SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

שם מוצר Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
מספר חלק M378A1K43CB2-CTD
(ג-ה)
יַצרָן סמסונג אלקטרוניקה
ארץ הייצור חרסינה
בנה שנה/שבוע 2018 / 28
סוג DIMM UDIMMs
קיבולת נתונים 8GB
קצב נתונים
(רוחב פס מקסימלי)		 2666.67 MT/s
(21333.33 MB/s)
תזמון זיכרון
(CL – tRCD – tRP – לְאַחַר – tRC)		 19-19-19-43-61
תכונות 288פִּין, ביטול מאגר ללא ECC DDR4 SDRAM DIMM
סיביות נתונים x64
בנקים מודול פנימי 16 בנקים (4 קבוצות בנקים)
מדרג 1 (דרגה יחידה)
הרכב רכיבים (1G × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
חֲבִילָה 78FBGA עם נטול עופרת & ללא הלוגן
(תואם RoHS)
גוֹבַה 30מ"מ
מתח VDD 1.2V ± 0.06V
טווח טמפרטורות מקרה תקופת רענון ממוצעת 7.8 us בשעה נמוכה יותר מ-Tמִקרֶה 85℃,
3.9אותנו ב-85℃ < טמִקרֶה ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) https://www.devicelog.com/he/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/ https://www.devicelog.com/he/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/#respond Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1116-he Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

שם מוצר Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400
מספר חלק M378T5663QZ3-CF7
יַצרָן סמסונג אלקטרוניקה
ארץ הייצור חרסינה
בנה שנה/שבוע 2009/04, 2010/07
סוג מודול זיכרון DIMM
קיבולת נתונים 2GB
מהירות שעון 800Mhz (PC2-6400)
תזמון זיכרון CL=6, tRCD=6, tRP=6
תכונות 240פִּין, Non-ECC DDR2 SDRAM DIMM ללא מאגר
סיביות נתונים x64
בנקים מודול פנימי 8
מדרג 2
הרכב שבב נתונים
(עומק × ארגון סיביות × יחידות)		 128M × 8 × 16 יחידות
(K4T1G084QQ × 16 יחידות)
חֲבִילָה 60FBGA עם נטול עופרת וללא הלוגן
(תואם RoHS)
גוֹבַה 30מ"מ
מתח VDD 1.8V±0.1V
טווח טמפרטורות מקרה 0°C ~ 95°C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/feed/ 0 Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R×8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/he/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/he/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-he Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

שם מוצר Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
יַצרָן סמסונג אלקטרוניקה
ארץ הייצור פיליפיני
בנייה שנה/שבוע 2014/08
קיבולת נתונים 8GB
מהירות שעון 1600Mhz (PC3-12800)
תזמון זיכרון CL=11, tRCD=11, tRP=11
תכונות 240פִּין, ביטול מאגר ללא ECC DDR3 SDRAM DIMM
טכנולוגיית תהליך ייצור 20, 30, 40נ"מ
סיביות נתונים x64
בנקים מודול פנימי 8
מדרג 2
הרכב שבב נתונים
(עומק × ארגון סיביות × יחידות)		 512M×8 × 16 יח'
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 יח')
חֲבִילָה
78 FBGA עם נטול עופרת & ללא הלוגן
(תואם RoHS)
גוֹבַה 30מ"מ
מתח VDD 1.5V ± 0.075V
טווח טמפרטורות מקרה 0°C ~ 95°C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/he/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/he/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-he ה-M368L6423DTM הוא 32M bit x 64 קצב נתונים כפול(DDR) מודול זיכרון SDRAM בצפיפות גבוהה מבוסס על דור חמישי של 256Mb DDR SDRAM בהתאמה. ה-M368L6423DTM מורכב משישה עשר CMOS 32M x 8 סיביות עם 4-Banks Double Data Rate SDRAMs ב-66pin TSOP-II(400מִיל) חבילות מותקנות על מצע זכוכית-אפוקסי בעל 184 פינים. ארבעה קבלי ניתוק 0.1uF מותקנים על המעגל המודפס במקביל עבור כל DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

שם מוצר Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
יַצרָן סמסונג אלקטרוניקה
ארץ הייצור קוריאה
בנייה שנה/שבוע 2003/12
קיבולת נתונים 512MB
מהירות שעון 166Mhz (PC2700, DDR333)
תזמון זיכרון CL=2.5
תכונות 184פִּין, DIMM, Non-ECC DDR SDRAM ללא מאגר
גוֹדֶל 133.35מ"מ × 31.75 מ"מ
סיביות נתונים 64קצת
בנקים מודול פנימי 4
הרכב שבב נתונים K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8bit × 16 שבבים)
חֲבִילָה TSOP-II
מתח VDD 2.5V ± 0.2V
טווח טמפרטורות מקרה 0°C ~ 85°C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 Samsung 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0) https://www.devicelog.com/he/memory/dram/sdram/samsung-sdram-32mb-pc66-kmm366s403btn-g0/ https://www.devicelog.com/he/memory/dram/sdram/samsung-sdram-32mb-pc66-kmm366s403btn-g0/#comments Thu, 14 Mar 2013 03:50:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=732-he Samsung SDRAM 32MB PC66 KMM366S403BTN-G0

Samsung SDRAM 32MB PC66 KMM366S403BTN-G0 underside

  • שם מוצר : Samsung SDRAM 32MB PC66
  • מספר חלק : KMM366S403BTN-G0
  • יַצרָן : סמסונג אלקטרוניקה (SEC)
  • ארץ הייצור : דרום קוריאה
  • בנייה שנה/שבוע : 1997/33
  • קיבולת נתונים : 32MB
  • מהירות שעון : 66Mhz (PC66)
  • תכונות : 168פִּין, Non-ECC SDRAM DIMM ללא מאגר
  • הרכב שבב נתונים : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 צ'יפס
  • VDD : 3.3V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-sdram-32mb-pc66-kmm366s403btn-g0/feed/ 1 eKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) https://www.devicelog.com/he/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/ https://www.devicelog.com/he/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/#comments Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000 https://www.devicelog.com/?p=643-he EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) frontside

EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) backside

  • שם מוצר : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0
  • יַצרָן : EKmemory
  • ארץ הייצור : דרום קוריאה
  • קיבולת נתונים : 2GB
  • מהירות שעון : 1333Mhz (PC3-10600)
  • תכונות : 240פִּין, ביטול מאגר ללא ECC DDR3 SDRAM DIMM
  • הרכב שבב נתונים : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 צ'יפס
  • מתח VDD : 1.5V
  • דף הבית : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=dram&no=91

EKmemory_DDR3_2GB_2Rx8_PC3-10600U-9-10-B0_package

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/feed/ 1 Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8, קוריאה) https://www.devicelog.com/he/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/he/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-he Samsung DDR3 SDRAM 4GB Memory DIMM (2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131)

שם מוצר Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Memory
(2Rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
יַצרָן סמסונג אלקטרוניקה (SEC)
ארץ הייצור דרום קוריאה
בנייה שנה/שבוע 2011/31
קיבולת נתונים 4GB
מהירות שעון 1333Mhz (PC3-10600)
תזמון זיכרון CL=9, tRCD=9, tRP=9
תכונות 240פִּין, ביטול מאגר ללא ECC DDR3 SDRAM DIMM
סיביות נתונים x64
עוֹמֶק / קצת ארגון 512M / x8
בנקים מודול פנימי 8
מדרג 2
הרכב שבב נתונים [SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 צ'יפס
(256Mbit ✕ 8 ✕ 16 יח')
עדכון רכיב 4הדור
חֲבִילָה FBGA (ללא עופרת & ללא הלוגן)
גוֹבַה 30מ"מ
מתח VDD 1.5V
טווח טמפרטורות מקרה 0°C ~ 85°C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0