https://www.devicelog.com/he/ device, part, מפרט Wed, 06 Nov 2019 11:16:37 +0000 he hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 https://www.devicelog.com/he/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/he/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-he

שם מוצר	Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11)
מספר חלק	M378A2K43CB1-CTD (ג-ה)
יַצרָן	סמסונג אלקטרוניקה
ארץ הייצור	חרסינה
בנה שנה/שבוע	2019 / 06
סוג DIMM	UDIMMs
קיבולת נתונים	16GB
קצב נתונים (רוחב פס מקסימלי)	2666.67 MT/s (21333.33 MB/s)
תזמון זיכרון (CL – tRCD – tRP – לְאַחַר – tRC)	19-19-19-43-61
תכונות	288פִּין, ביטול מאגר ללא ECC DDR4 SDRAM DIMM
סיביות נתונים	x64
בנקים מודול פנימי	16 בנקים (4 קבוצות בנקים)
מדרג	2 (דירוג כפול)
הרכב רכיבים	(1G × 8) × 16 (K4A8G085WC-BCTD) × 16
חֲבִילָה	78FBGA עם נטול עופרת & ללא הלוגן (תואם RoHS)
גוֹבַה	31.25 מ"מ
מתח VDD	1.2 V ± 0.06 V
טווח טמפרטורות מקרה	תקופת רענון ממוצעת 7.8 us בשעה נמוכה יותר מ-Tמִקרֶה 85℃, 3.9אותנו ב-85℃ < טמִקרֶה ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 https://www.devicelog.com/he/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/he/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-he

שם מוצר	Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11)
מספר חלק	M378A1K43CB2-CTD (ג-ה)
יַצרָן	סמסונג אלקטרוניקה
ארץ הייצור	חרסינה
בנה שנה/שבוע	2018 / 28
סוג DIMM	UDIMMs
קיבולת נתונים	8GB
קצב נתונים (רוחב פס מקסימלי)	2666.67 MT/s (21333.33 MB/s)
תזמון זיכרון (CL – tRCD – tRP – לְאַחַר – tRC)	19-19-19-43-61
תכונות	288פִּין, ביטול מאגר ללא ECC DDR4 SDRAM DIMM
סיביות נתונים	x64
בנקים מודול פנימי	16 בנקים (4 קבוצות בנקים)
מדרג	1 (דרגה יחידה)
הרכב רכיבים	(1G × 8) × 8 (K4A8G085WC-BCTD) × 8
חֲבִילָה	78FBGA עם נטול עופרת & ללא הלוגן (תואם RoHS)
גוֹבַה	30מ"מ
מתח VDD	1.2V ± 0.06V
טווח טמפרטורות מקרה	תקופת רענון ממוצעת 7.8 us בשעה נמוכה יותר מ-Tמִקרֶה 85℃, 3.9אותנו ב-85℃ < טמִקרֶה ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0