שם המוצר Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 זיכרון 2GB (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) יצרן Samsung Electronics ארץ ייצור סין בנייה שנה/שבוע 2010/38 קיבולת נתונים 2GB מהירות שעון 1333Mhz (PC3-10600) כולל 240 פינים, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM טכנולוגיית תהליך ייצור 40nm סיביות נתונים x64 מודול פנימי 8 הרכב שבב נתונים [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 צ'יפס […]

לוחות מרכזיים רבים, מעבד פנטיום מוקדם נתמך, היו בדרך כלל שבבי זיכרון מטמון סינכרון כמטמון CPU L2. מודול מטמון הסנכרון הזה(חוֹף; מטמון על מקל) הוא מודול זיכרון חיצוני המשמש כמטמון נוסף של CPU L2. זה ממקסם את ביצועי המעבד בזמן שהמעבד ממתין להוראות או נתונים. מטמון L2 משמש להפעלה […]

זיכרון A-DATA Vitesta DDR600 Viesta, במודולי זיכרון DDR SDRAM, ראשית השיגה מהירות שעון של 600Mhz עם שבבי זיכרון TCCD של סמסונג. קיבולת הנתונים של A-data Viesta הייתה 512MB או 256MB. הוא שימש בעיקר עבור ovcrclocking.   שם המוצר A-DATA Vitesta DDR600 512MB מספר חלק MDOSSLF3H47A0B1G0Z יצרן A-DATA ארץ ייצור טייוואן שנת בנייה 2004 כולל Unbuffer 184pin […]

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. חברה יצרנית : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 ארץ הייצור : South Korea Module Features : 30פִּין, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

שם מוצר : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 גורם צורה : DDR3 SO-DIMM Features : 204פִּין, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 bits, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]