DRAM – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/gu/ device, part, સ્પેક Mon, 11 Jul 2022 17:33:11 +0000 gu hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 LG સેમિકોન 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/ https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/#comments Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1336-gu LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM backside

  • ઉત્પાદક : એલજી સેમિકોન કંપની, Ltd.
  • ઉત્પાદન નો દેશ : દક્ષિણ કોરિયા
  • ભાગ નંબર : ?
  • ફોર્મ ફેક્ટર : SIMM
  • વિશેષતા : 72પિન, EDO DRAM, બિન-સમાનતા
  • મેમરી ક્ષમતા : 16MB
  • બેન્ડવિડ્થ : 32બીટ
  • ઝડપ : 60એનએસ(trAC)
  • વિદ્યુત્સ્થીતિમાન : 5વી
  • ચિપ રચના : GM71C17400CJ6 × 8
  • ચિપ બિલ્ડ વર્ષ/અઠવાડિયું : 1998/27
  • એક ચિપ ક્ષમતા : 4M x 4bit
  • વગેરે : Addonics®, SD816
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/feed/ 1 EK મેમરી 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-gu EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

ઉત્પાદન નામ EK મેમરી 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
ભાગ નંબર EKM256S74BP8-E6
ઉત્પાદક EK મેમરી
ઉત્પાદન નો દેશ તાઈવાન
ચિપ બિલ્ડ વર્ષ/અઠવાડિયું 2008/27
મેમરી મોડ્યુલ પ્રકાર DDR2 SO-DIMM 200 પિન
ડેટા ક્ષમતા 2જીબી
ઘડિયાળની ઝડપ 667Mhz (PC2-5300)
મેમરી ટાઇમિંગ CL=5, tRCD=5, tRP=5
વિશેષતા 200પિન
અનબફર્ડ
બિન-ECC
નોટબુક(લેપટોપ) સ્મૃતિ
ડેટા બિટ્સ x64
ડેટા ચિપ માહિતી EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
પેકેજ FBGA (ફાઇન-પિચ BGA)
VDD વોલ્ટેજ 1.8વી

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 સેમસંગ 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R×8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-gu Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

ઉત્પાદન નામ સેમસંગ 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
ઉત્પાદક સેમસંગ ઈલેક્ટ્રોનિક્સ
ઉત્પાદન નો દેશ ફિલિપાઈન
વર્ષ/અઠવાડિયું બનાવો 2014/08
ડેટા ક્ષમતા 8જીબી
ઘડિયાળની ઝડપ 1600Mhz (PC3-12800)
મેમરી ટાઇમિંગ CL=11, tRCD=11, tRP=11
વિશેષતા 240પિન, અનબફર બિન-ECC DDR3 SDRAM DIMM
ઉત્પાદન પ્રક્રિયા તકનીક 20, 30, 40nm
ડેટા બિટ્સ x64
આંતરિક મોડ્યુલ બેંકો 8
રેન્ક 2
ડેટા ચિપ રચના
(ઊંડાઈ × બીટ સંસ્થા × પીસી)		 512M×8 × 16 પીસી
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 પીસી)
પેકેજ
78 FBGA લીડ-ફ્રી સાથે & હેલોજન-મુક્ત
(RoHS સુસંગત)
ઊંચાઈ 30મીમી
VDD વોલ્ટેજ 1.5V ± 0.075V
ઓપરેટિંગ કેસ તાપમાન શ્રેણી 0°C ~ 95°C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 સેમસંગ 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-gu M368L6423DTM 32M bit x છે 64 ડબલ ડેટા રેટ(ડીડીઆર) SDRAM ઉચ્ચ ઘનતા મેમરી મોડ્યુલ અનુક્રમે 256Mb DDR SDRAM ની પાંચમી પેઢી પર આધારિત છે. M368L6423DTM સોળ CMOS 32M x ધરાવે છે 8 66pin TSOP-II માં 4banks ડબલ ડેટા રેટ SDRAM સાથે બીટ(400મિલ) પેકેજો 184pin ગ્લાસ-ઇપોક્સી સબસ્ટ્રેટ પર માઉન્ટ થયેલ છે. ચાર 0.1uF ડીકોપલિંગ કેપેસિટર્સ દરેક DDR SDRAM માટે સમાંતર પ્રિન્ટેડ સર્કિટ બોર્ડ પર માઉન્ટ થયેલ છે. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

ઉત્પાદન નામ Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
ઉત્પાદક સેમસંગ ઈલેક્ટ્રોનિક્સ
ઉત્પાદન નો દેશ કોરિયા
વર્ષ/અઠવાડિયું બનાવો 2003/12
ડેટા ક્ષમતા 512MB
ઘડિયાળની ઝડપ 166Mhz (PC2700, DDR333)
મેમરી ટાઇમિંગ CL=2.5
વિશેષતા 184પિન, DIMM, અનબફર્ડ નોન-ECC DDR SDRAM
કદ 133.35મીમી × 31.75 મીમી
ડેટા બિટ્સ 64બીટ
આંતરિક મોડ્યુલ બેંકો 4
ડેટા ચિપ રચના K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8bit × 16 ચિપ્સ)
પેકેજ TSOP-II
VDD વોલ્ટેજ 2.5વી ± 0.2 વી
ઓપરેટિંગ કેસ તાપમાન શ્રેણી 0°C ~ 85°C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-gu સેમસંગ ઈલેક્ટ્રોનિક્સે જુલાઈમાં 30nm પ્રોસેસ ટેક્નોલોજીનો ઉપયોગ કરીને DDR3 SDRAM મોડ્યુલ્સ બહાર પાડ્યા હતા 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

ઉત્પાદન નામ Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
ઉત્પાદક સેમસંગ ઈલેક્ટ્રોનિક્સ (SEC)
ઉત્પાદન નો દેશ ચીન
વર્ષ/અઠવાડિયું બનાવો 2011/13
ડેટા ક્ષમતા 4જીબી
ઘડિયાળની ઝડપ 1333Mhz (PC3-10600)
મેમરી ટાઇમિંગ CL=9, tRCD=9, tRP=9
વિશેષતા 204પિન, SODIMM, અનબફર બિન-ECC DDR3 SDRAM
ઉત્પાદન પ્રક્રિયા તકનીક 40nm
ડેટા બિટ્સ x64
આંતરિક મોડ્યુલ બેંકો 8
રેન્ક 2
ડેટા ચિપ રચના 256એમ એક્સ 8 * 16 પીસી
ઘટક પુનરાવર્તન 2જી.બી, સી-ડાઇ
પેકેજ 78 બોલ FBGA
ઊંચાઈ 30મીમી
VDD વોલ્ટેજ 1.5વી
ઓપરેટિંગ કેસ તાપમાન શ્રેણી 0°C ~ 85°C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3 Hyundai 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70) https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-4mb-edo-dram-simm-hym532100am-70/ https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-4mb-edo-dram-simm-hym532100am-70/#respond Fri, 15 Mar 2013 07:26:42 +0000 https://www.devicelog.com/?p=739-gu Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM

Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM

  • ઉત્પાદક : હ્યુન્ડાઈ ઈલેક્ટ્રોનિક્સ ઈન્ડસ્ટ્રીઝ કો., Ltd.
  • બિલ્ડ વર્ષ : 1994
  • ઉત્પાદન નો દેશ : દક્ષિણ કોરિયા
  • ભાગ નંબર : HYM532100AM-70
  • ફોર્મ ફેક્ટર : SIMM
  • મેમરી પ્રકાર : EDO DRAM
  • મેમરી ક્ષમતા : 4MB
  • બસનો પ્રકાર : ઝડપી પૃષ્ઠ મેમરી (FPM)
  • ભૂલ સુધારણા : બિન-સમાનતા
  • પિન : 72પિન
  • બેન્ડવિડ્થ : 32બીટ
  • લેટન્સી : 70એનએસ (trAC)
  • વિદ્યુત્સ્થીતિમાન : 5વી
  • ચિપ રચના : [HY514400A J-70] × 8
  • એક ચિપ ક્ષમતા : 1M x 4bit
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-4mb-edo-dram-simm-hym532100am-70/feed/ 0 eKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/ https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/#comments Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000 https://www.devicelog.com/?p=643-gu EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) frontside

EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) backside

  • ઉત્પાદન નામ : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0
  • ઉત્પાદક : EKmemory
  • ઉત્પાદન નો દેશ : દક્ષિણ કોરિયા
  • ડેટા ક્ષમતા : 2જીબી
  • ઘડિયાળની ઝડપ : 1333Mhz (PC3-10600)
  • વિશેષતા : 240પિન, અનબફર બિન-ECC DDR3 SDRAM DIMM
  • ડેટા ચિપ રચના : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 ચિપ્સ
  • VDD વોલ્ટેજ : 1.5વી
  • હોમપેજ : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=dram&no=91

EKmemory_DDR3_2GB_2Rx8_PC3-10600U-9-10-B0_package

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/feed/ 1 સેમસંગ 1MB DRAM 30pin SIMM https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/original-dram/samsung-30pin-1mb-dram-simm/ https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/original-dram/samsung-30pin-1mb-dram-simm/#comments Fri, 18 May 2012 11:01:28 +0000 https://www.devicelog.com/?p=326-gu
Samsung 1MB DRAM SIMM backside (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

Samsung 1MB DRAM SIMM backside (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 એ બે KM44C1000AJ-7 ચિપ અને એક KM44C1000CJ-7 ચિપ બનેલી છે. KMM591000BN-7 બે KM44C1000BJ-7 ચિપ્સ અને એક KM44C1000CJ-7 ચિપ સાથે બનેલું છે. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics.

  • ઉત્પાદન કંપની : સેમસંગ ઈલેક્ટ્રોનિક્સ
  • ઉત્પાદિત વર્ષ : 1992 / 1993
  • ઉત્પાદન નો દેશ : દક્ષિણ કોરિયા
  • મોડ્યુલ લક્ષણો : 30પિન, SIMM, પેરિટી રેમ
  • મેમરી ક્ષમતા : 1MB
  • બેન્ડવિડ્થ : 8બીટ
  • ઝડપ લક્ષણ : 70એનએસ(trAC)
  • ચિપ રચના :
    KMM591000AN-7 = KM44C1000AJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
    KMM591000BN-7 = KM44C1000BJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/samsung-30pin-1mb-dram-simm/feed/ 1 Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414) https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/ https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/#comments Thu, 04 Aug 2011 13:39:13 +0000 https://www.devicelog.com/?p=110-gu EDO DRAM પાસે ઝડપી ડેટા I/O માટે કામચલાઉ મેમરી સ્પેસ છે. જ્યારે સિસ્ટમ કેશ મેમરી સપોર્ટ પ્રાપ્ત કરી શકતી નથી ત્યારે તે અસરકારક છે. પરંતુ જો સિસ્ટમ પાસે કેશ મેમરી છે, the effect of EDO DRAM is little.

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Frontside)

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Backside)

  • ઉત્પાદક : હ્યુન્ડાઈ ઈલેક્ટ્રોનિક્સ ઈન્ડસ્ટ્રીઝ કો., Ltd.
  • વર્ષ/અઠવાડિયું બનાવો : 1997/32
  • ઉત્પાદન નો દેશ : કોરિયા (દક્ષિણ કોરિયા)
  • ભાગ નંબર : HYM532414 BM-60
  • ફોર્મ ફેક્ટર : SIMM
  • વિશેષતા : 72પિન, EDO DRAM, બિન-સમાનતા
  • મેમરી ક્ષમતા : 16MB
  • બેન્ડવિડ્થ : 32બીટ
  • ઝડપ : 60એનએસ(trAC)
  • વિદ્યુત્સ્થીતિમાન : 5વી
  • ચિપ રચના : HY5117404B(જે-60) × 8
  • એક ચિપ ક્ષમતા : 4M x 4bit
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/feed/ 1 Hyundai 1MB DRAM 30pin SIMM https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/ https://www.devicelog.com/gu/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/#comments Mon, 01 Aug 2011 16:12:29 +0000 https://www.devicelog.com/?p=5-gu આ રેમ હ્યુન્ડાઈ ઈલેક્ટ્રોનિક્સ ઉદ્યોગ દ્વારા ઉત્પાદિત 30-પિન 1MB SIMM છે(હ્યુનિક્સ). 30-પિન SIMM નો ઉપયોગ સાર્વત્રિક રીતે કરવામાં આવ્યો હતો 80286 થી 80486. જો ચિપ્સની સંખ્યા બેકી સંખ્યા હોય, one of the chips perform parity check.

આ રેમ બે HY514400A થી બનેલી છે(1M x 4bit) અને એક HY531000A(1M x 1bit). RAM ની મેમરી ક્ષમતા 1MB છે. HY531000A ડેટા ચિપ છે, and HY531000A is parity chip.

Hyundai 30-pin 1MB SIMM (HY514400A × 2 + HT531000A)

  • ઉત્પાદક : હ્યુન્ડાઈ ઈલેક્ટ્રોનિક્સ ઈન્ડસ્ટ્રીઝ કો., Ltd.
  • ઉત્પાદિત વર્ષ : 1993
  • ઉત્પાદન લક્ષણો : 30-પિન, DRAM SIMM, પેરિટી રેમ
  • મેમરી ક્ષમતા : 1MB
  • બેન્ડવિડ્થ : 8બીટ
  • ઝડપ લક્ષણ : 70એનએસ(trAC)
  • ચિપ રચના : HY514400A × 2 + HY531000A (4×2 + 1 બિટ્સ)
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/feed/ 1