ઉત્પાદક : LG Semicon Co., લિ. ઉત્પાદન નો દેશ : દક્ષિણ કોરિયા ભાગ નંબર : ? ફોર્મ ફેક્ટર : SIMM Features : 72પિન, EDO DRAM, Non-Parity Memory Capacity : 16MB Bandwidth : 32bit Speed : 60એનએસ(trAC) વિદ્યુત્સ્થીતિમાન : 5V Chip Composition : GM71C17400CJ6 × 8 ચિપ બિલ્ડ વર્ષ/અઠવાડિયું : 1998/27 One Chip Capacity : 4M […]

ઉત્પાદક : હ્યુન્ડાઈ ઈલેક્ટ્રોનિક્સ ઈન્ડસ્ટ્રીઝ કો., લિ. બિલ્ડ વર્ષ : 1994 ઉત્પાદન નો દેશ : દક્ષિણ કોરિયા ભાગ નંબર : HYM532100AM-70 ફોર્મ ફેક્ટર : SIMM મેમરી પ્રકાર : EDO DRAM મેમરી ક્ષમતા : 4એમબી બસનો પ્રકાર : ઝડપી પૃષ્ઠ મેમરી (FPM) ભૂલ સુધારણા : નોન-પેરિટી પિન : 72પિન બેન્ડવિડ્થ : 32બીટ લેટન્સી : 70એનએસ (trAC) વિદ્યુત્સ્થીતિમાન […]

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. ઉત્પાદન કંપની : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 ઉત્પાદન નો દેશ : South Korea Module Features : 30પિન, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

EDO DRAM has temporary memory space for faster data I/O. It is effective when the system cannot receive cache memory support. But if the system has cache memory, the effect of EDO DRAM is little. ઉત્પાદક : હ્યુન્ડાઈ ઈલેક્ટ્રોનિક્સ ઈન્ડસ્ટ્રીઝ કો., લિ. Build Year/Week : 1997/32 ઉત્પાદન નો દેશ : કોરિયા (દક્ષિણ કોરિયા) ભાગ નંબર […]