PC 3200 – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/gl/ device, part, especificación Sat, 04 Jun 2016 15:05:16 +0000 gl hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 512 MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, RAM non xenuína) https://www.devicelog.com/gl/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/gl/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-gl Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • Nome do produto : Samsung DDR SDRAM 512 MB PC3200 (pezas non orixinais)
  • Número de peza : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • Fabricante : Samsung Electronics (Sec)
  • País de fabricación : Corea do sur
  • Construír ano/semana : 2003/33
  • Capacidade de datos : 512MB
  • Velocidade do reloxo : 400Mhz (PC 3200)
  • características : 184alfinete, DIMM DDR SDRAM non ECC sen búfer
  • Composición do chip de datos : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 fichas
  • Bancos de datos : 4 bancos
  • Intervalo de actualización : 7.8μs (8K/64ms de actualización)
  • Ler a latencia : 3 reloxo (CL3)
  • Lonxitude da explosión : 2, 4, 8
  • Tipo de explosión : secuencial & intercalar
  • Ciclo de refresco máximo de ráfaga : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6V ± 0,1 V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3