K4B4G0846Q – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/gl/ device, part, especificación Sat, 04 Jun 2016 15:06:43 +0000 gl hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 8 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R×8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/gl/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/gl/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-gl Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

Nome do produto Samsung 8 GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8 GB DIMM
(2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
Fabricante Samsung Electronics
País de fabricación Filipinas
Construír ano/semana 2014/08
Capacidade de datos 8GB
Velocidade do reloxo 1600Mhz (PC3-12800)
Temporalización da memoria CL=11, tRCD=11, tRP=11
características 240alfinete, Unbuffer non-ECC DDR3 SDRAM DIMM
Tecnoloxía do proceso de produción 20, 30, 40nm
Bits de datos x64
Bancos de módulos internos 8
Rangos 2
Composición do chip de datos
(Profundidade × organización de bits × pzas)		 512M×8 × 16 pzas
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 pzas)
Paquete
78 FBGA con sen chumbo & Sen halóxenos
(Conforme RoHS)
Altura 30mm
Tensión VDD 1.5V ± 0,075 V
Rango de temperatura do caso operativo 0°C ~ 95 °C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4