DDR – DeviceLog.com

A SÚA Radeon RX560 14CU VERDE iCooler OC GDDR5 2GB

DeviceLog.com — Sun, 25 Dec 2022 05:15:29 +0000

Nome do produto	HIS Radeon RX560 14CU VERDE iCooler OC D5 2GB
Código do produto	HS-560J2SCNR
Código EAN	489 51390 12361
Data de liberación	2016.8.8.
Fabricante de chipset	AMD(Tiñamos)
Fabricante de placas	Hightech Information System Ltd. (A SÚA)
País de fabricación	China
Fabricante de memorias	Memoria Elpida, Inc.
Modelo de chipset/GPU	AMD Radeon RX 560 Serie AMD Radeon HD 560
Nome do código da GPU	Baffin (Polaris 11)
Revisión da GPU	CF
Tecnoloxía GPU	14nm
Tamaño da matriz da GPU	123mm²
Subvendedor de GPU	E AIB
Reloxo GPU	Base : 1145Mhz OC : 1196Mhz Impulso : 1176 MHz
Procesadores de fluxo (Unidades de cálculo)	896 (14CU)
Tipo de RAM de vídeo	GDDR5
Tamaño da memoria RAM de vídeo	2048MB (2GB)
Reloxo RAM de vídeo	1500Mhz
Interface de bus	PCI Express 3.0 x 8
Ancho do bus	128pouco
Velocidade do autobús	7.0Gbps (112GB/s)
Tecnoloxías Informáticas	OpenGL, DirectCompute, DirectML, Vulcán
Consumo de enerxía	Máx. 46W
Fonte de alimentación recomendada	400W+
Enfriador	iCooler ( Dúas ranuras 0dB , 11 x Aspas do ventilador)
Conectores de vídeo	DVI × 1 HDMI × 1 DisplayPort(DP) × 1
Resolución máxima (por pantalla)	DP 1.4 : 5120 × 2880 @ 60 Hz HDMI 2.0b : 4096 × 2160 @ 60 Hz Porto DVI-D de dobre ligazón : 2560 × 1600 @ 60 Hz
características	• Función de ventilador cero • Ancho: 170mm • Altura: 35mm

Memoria EK 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

DeviceLog.com — Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000

Nome do produto	Memoria EK 2 GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
Número de peza	EKM256S74BP8-E6
Fabricante	Memoria EK
País de fabricación	Taiwán
Ano/Semana de construción do chip	2008/27
Tipo de módulo de memoria	DDR2 SO-DIMM 200 alfinete
Capacidade de datos	2GB
Velocidade do reloxo	667Mhz (PC2-5300)
Temporalización da memoria	CL=5, tRCD=5, tRP=5
características	200alfinete Sen búfer Non ECC Caderno(Portátil) Memoria
Bits de datos	x64
Información do chip de datos	EK20908A8A-3EG 20827 XCG248-UA3G
Paquete	FBGA (BGA de tono fino)
Tensión VDD	1.8V

Samsung 16 GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD)

DeviceLog.com — Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000

Nome do produto	Samsung DDR4 SDRAM 16 GB 2R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11)
Número de peza	M378A2K43CB1-CTD (C-o)
Fabricante	Samsung Electronics
País de fabricación	China
Ano/Semana de construción	2019 / 06
Tipo DIMM	UDIMMs
Capacidade de datos	16GB
Taxa de datos (Ancho de banda máximo)	2666.67 MT/s (21333.33 MB/s)
Temporalización da memoria (CL – tRCD – tRP – despois – tRC)	19-19-19-43-61
características	288alfinete, Unbuffer non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Bits de datos	x64
Bancos de módulos internos	16 Bancos (4 Grupos bancarios)
Rangos	2 (Rango dual)
Composición dos compoñentes	(1G × 8) × 16 (K4A8G085WC-BCTD) × 16
Paquete	78FBGA con sen chumbo & Sen halóxenos (Conforme RoHS)
Altura	31.25 mm
Tensión VDD	1.2 V ± 0.06 V
Rango de temperatura do caso operativo	Período de actualización medio 7,8 us a menos que T_CASO 85℃, 3.9nós a 85 ℃ < T_CASO ≤ 95 ℃

Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD)

DeviceLog.com — Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000

Nome do produto	Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11)
Número de peza	M378A1K43CB2-CTD (C-o)
Fabricante	Samsung Electronics
País de fabricación	China
Ano/Semana de construción	2018 / 28
Tipo DIMM	UDIMMs
Capacidade de datos	8GB
Taxa de datos (Ancho de banda máximo)	2666.67 MT/s (21333.33 MB/s)
Temporalización da memoria (CL – tRCD – tRP – despois – tRC)	19-19-19-43-61
características	288alfinete, Unbuffer non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Bits de datos	x64
Bancos de módulos internos	16 Bancos (4 Grupos bancarios)
Rangos	1 (Single Rank)
Composición dos compoñentes	(1G × 8) × 8 (K4A8G085WC-BCTD) × 8
Paquete	78FBGA con sen chumbo & Sen halóxenos (Conforme RoHS)
Altura	30mm
Tensión VDD	1.2V ± 0.06V
Rango de temperatura do caso operativo	Período de actualización medio 7,8 us a menos que T_CASO 85℃, 3.9nós a 85 ℃ < T_CASO ≤ 95 ℃

Samsung 2 GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

DeviceLog.com — Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000

Nome do produto	Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400
Número de peza	M378T5663QZ3-CF7
Fabricante	Samsung Electronics
País de fabricación	China
Ano/Semana de construción	2009/04, 2010/07
Tipo de módulo de memoria	DIMM
Capacidade de datos	2GB
Velocidade do reloxo	800Mhz (PC2-6400)
Temporalización da memoria	CL=6, tRCD=6, tRP=6
características	240alfinete, Unbuffer DIMM DDR2 SDRAM non ECC
Bits de datos	x64
Bancos de módulos internos	8
Rangos	2
Composición do chip de datos (Profundidade × organización de bits × pzas)	128M × 8 × 16 unidades (K4T1G084QQ × 16 unidades)
Paquete	60FBGA con sen chumbo e sen halóxenos (Conforme RoHS)
Altura	30mm
Tensión VDD	1.8V ± 0,1 V
Rango de temperatura do caso operativo	0°C ~ 95 °C

Samsung 512 MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, RAM non xenuína)

DeviceLog.com — Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000

Nome do produto : Samsung DDR SDRAM 512 MB PC3200 (pezas non orixinais)
Número de peza : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
Fabricante : Samsung Electronics (Sec)
País de fabricación : Corea do sur
Construír ano/semana : 2003/33
Capacidade de datos : 512MB
Velocidade do reloxo : 400Mhz (PC 3200)
características : 184alfinete, DIMM DDR SDRAM non ECC sen búfer
Composición do chip de datos : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 fichas
Bancos de datos : 4 bancos
Intervalo de actualización : 7.8μs (8K/64ms de actualización)
Ler a latencia : 3 reloxo (CL3)
Lonxitude da explosión : 2, 4, 8
Tipo de explosión : secuencial & intercalar
Ciclo de refresco máximo de ráfaga : 8
VDD, VDDQ : 2.6V ± 0,1 V

eKmemory 2 GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333 Mhz (2Rx8)

DeviceLog.com — Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000

Nome do produto : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0
Fabricante : Memoria EK
País de fabricación : Corea do sur
Capacidade de datos : 2GB
Velocidade do reloxo : 1333Mhz (PC3-10600)
características : 240alfinete, Unbuffer non-ECC DDR3 SDRAM DIMM
Composición do chip de datos : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 fichas
Tensión VDD : 1.5V
Páxina de inicio : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=drama&non = 91

Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8, Corea)

DeviceLog.com — Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000

Nome do produto	Memoria Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 (2Rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
Fabricante	Samsung Electronics (Sec)
País de fabricación	Corea do sur
Construír ano/semana	2011/31
Capacidade de datos	4GB
Velocidade do reloxo	1333Mhz (PC3-10600)
Temporalización da memoria	CL=9, tRCD=9, tRP=9
características	240alfinete, Unbuffer non-ECC DDR3 SDRAM DIMM
Bits de datos	x64
Profundidade / Organización de bits	512M / x8
Bancos de módulos internos	8
Rangos	2
Composición do chip de datos	[SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 fichas (256Mbit ✕ 8 ✕ 16 pzas)
Revisión de compoñentes	4ª xeración
Paquete	FBGA (Sen chumbo & Sen halóxenos)
Altura	30mm
Tensión VDD	1.5V
Rango de temperatura do caso operativo	0°C ~ 85 °C

A-DATA Vitesta 512 MB DDR600 DIMM (PC 4800)

DeviceLog.com — Thu, 25 Oct 2012 01:49:42 +0000

Memoria A-DATA Vitesta DDR600 Viesta, en módulos de memoria DDR SDRAM, primeiro conseguiu unha velocidade de reloxo de 600 Mhz cos chips de memoria Samsung TCCD. A capacidade de datos de A-data Viesta era de 512 ou 256 MB. It was mostly used for ovcrclocking.

Nome do produto
- A-DATA Vitesta DDR600 512MB
Número de peza
- MDOSSLF3H47A0B1G0Z
Fabricante
- A-DATOS
País de fabricación
- Taiwán
Construír ano
- 2004
características
- 184alfinete
- SDRAM DDR non ECC sen búfer
Capacidade de datos
- 512MB
Velocidade do reloxo
- 600Mhz (PC 4800)
Voltaxe
- 2.8± 0,1 V
Composición do chip
- Samsung TCCD 16 fichas
Altura de PCB
- 31.75mm, 6 capas
Rango de temperatura do caso operativo
- 0~95 ℃
Banco de módulos
- 2 banco físico

ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

DeviceLog.com — Fri, 09 Mar 2012 07:39:10 +0000

Nome do produto : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1
Número de peza : EBJ21UE8BFU0-DJ-F
Fabricante : ELPIDA
País de fabricación : Taiwán
Ano/Semana de construción : 2010/38
Factor de forma : DDR3 SO-DIMM
características : 204alfinete, Non ECC
Capacidade de memoria : 2GB
Velocidade máxima de datos : 1333Mbps
Voltaxe : 1.5V
Organización : 256M palabras × 64 bits, 2 rangos
Composición do chip : J1108BFBG-DJ-F × 16
Latencia (CL-tRCD-tRP) : 9-9-9
Altura de PCB : 30mm
Rango de temperatura do caso operativo : 0~95 ℃