https://www.devicelog.com/gl/ device, part, especificación Wed, 06 Nov 2019 11:16:37 +0000 gl hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 https://www.devicelog.com/gl/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/gl/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-gl

Nome do produto	Samsung DDR4 SDRAM 16 GB 2R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11)
Número de peza	M378A2K43CB1-CTD (C-o)
Fabricante	Samsung Electronics
País de fabricación	China
Ano/Semana de construción	2019 / 06
Tipo DIMM	UDIMMs
Capacidade de datos	16GB
Taxa de datos (Ancho de banda máximo)	2666.67 MT/s (21333.33 MB/s)
Temporalización da memoria (CL – tRCD – tRP – despois – tRC)	19-19-19-43-61
características	288alfinete, Unbuffer non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Bits de datos	x64
Bancos de módulos internos	16 Bancos (4 Grupos bancarios)
Rangos	2 (Rango dual)
Composición dos compoñentes	(1G × 8) × 16 (K4A8G085WC-BCTD) × 16
Paquete	78FBGA con sen chumbo & Sen halóxenos (Conforme RoHS)
Altura	31.25 mm
Tensión VDD	1.2 V ± 0.06 V
Rango de temperatura do caso operativo	Período de actualización medio 7,8 us a menos que TCASO 85℃, 3.9nós a 85 ℃ < TCASO ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 https://www.devicelog.com/gl/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/gl/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-gl

Nome do produto	Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11)
Número de peza	M378A1K43CB2-CTD (C-o)
Fabricante	Samsung Electronics
País de fabricación	China
Ano/Semana de construción	2018 / 28
Tipo DIMM	UDIMMs
Capacidade de datos	8GB
Taxa de datos (Ancho de banda máximo)	2666.67 MT/s (21333.33 MB/s)
Temporalización da memoria (CL – tRCD – tRP – despois – tRC)	19-19-19-43-61
características	288alfinete, Unbuffer non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Bits de datos	x64
Bancos de módulos internos	16 Bancos (4 Grupos bancarios)
Rangos	1 (Single Rank)
Composición dos compoñentes	(1G × 8) × 8 (K4A8G085WC-BCTD) × 8
Paquete	78FBGA con sen chumbo & Sen halóxenos (Conforme RoHS)
Altura	30mm
Tensión VDD	1.2V ± 0.06V
Rango de temperatura do caso operativo	Período de actualización medio 7,8 us a menos que TCASO 85℃, 3.9nós a 85 ℃ < TCASO ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0