EDO DRAM – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/gl/ device, part, especificación Mon, 11 Jul 2022 17:33:11 +0000 gl hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 LG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) https://www.devicelog.com/gl/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/ https://www.devicelog.com/gl/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/#comments Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1336-gl LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM backside

  • Fabricante : LG Semicon Co., Ltd.
  • País de fabricación : Corea do sur
  • Número de peza : ?
  • Factor de forma : SIMM
  • características : 72alfinete, EDO DRAM, Non paridade
  • Capacidade de memoria : 16MB
  • Ancho de banda : 32pouco
  • Velocidade : 60ns(tRAC)
  • Voltaxe : 5V
  • Composición do chip : GM71C17400CJ6 × 8
  • Ano/Semana de construción do chip : 1998/27
  • Unha capacidade de chip : 4M x 4 bits
  • Etc : Addonics®, SD816
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/feed/ 1 Hyundai 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70) https://www.devicelog.com/gl/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-4mb-edo-dram-simm-hym532100am-70/ https://www.devicelog.com/gl/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-4mb-edo-dram-simm-hym532100am-70/#respond Fri, 15 Mar 2013 07:26:42 +0000 https://www.devicelog.com/?p=739-gl Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM

Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM

  • Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
  • Construír ano : 1994
  • País de fabricación : Corea do sur
  • Número de peza : HYM532100AM-70
  • Factor de forma : SIMM
  • Tipo de memoria : EDO DRAM
  • Capacidade de memoria : 4MB
  • Bus type : Memoria de páxina rápida (FPM)
  • Corrección de erros : Non-parity
  • Pins : 72alfinete
  • Ancho de banda : 32pouco
  • Latencia : 70ns (tRAC)
  • Voltaxe : 5V
  • Composición do chip : [HY514400A J-70] × 8
  • Unha capacidade de chip : 1M x 4 bits
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-4mb-edo-dram-simm-hym532100am-70/feed/ 0 Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414) https://www.devicelog.com/gl/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/ https://www.devicelog.com/gl/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/#comments Thu, 04 Aug 2011 13:39:13 +0000 https://www.devicelog.com/?p=110-gl EDO DRAM ten espazo de memoria temporal para unha E/S de datos máis rápida. É eficaz cando o sistema non pode recibir soporte de memoria caché. Pero se o sistema ten memoria caché, the effect of EDO DRAM is little.

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Frontside)

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Backside)

  • Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
  • Ano/Semana de construción : 1997/32
  • País de fabricación : Corea (Corea do sur)
  • Número de peza : HYM532414 BM-60
  • Factor de forma : SIMM
  • características : 72alfinete, EDO DRAM, Non paridade
  • Capacidade de memoria : 16MB
  • Ancho de banda : 32pouco
  • Velocidade : 60ns(tRAC)
  • Voltaxe : 5V
  • Composición do chip : HY5117404B(J-60) × 8
  • Unha capacidade de chip : 4M x 4 bits
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/feed/ 1