parité – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/fr/ device, part, spec Sat, 04 Jun 2016 16:22:33 +0000 fr hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 1Mo DRAM 30pin SIMM https://www.devicelog.com/fr/memory/dram/original-dram/samsung-30pin-1mb-dram-simm/ https://www.devicelog.com/fr/memory/dram/original-dram/samsung-30pin-1mb-dram-simm/#comments Fri, 18 May 2012 11:01:28 +0000 https://www.devicelog.com/?p=326-fr
Samsung 1MB DRAM SIMM backside (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

Samsung 1MB DRAM SIMM backside (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 est composé de deux puces KM44C1000AJ-7 et d'une puce KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 est composé de deux puces KM44C1000BJ-7 et d'une puce KM44C1000CJ-7. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics.

  • Entreprise de fabrication : Samsung Electronics
  • Année de fabrication : 1992 / 1993
  • Pays de fabrication : Corée du Sud
  • Caractéristiques du module : 30épingle, SIMM, RAM de parité
  • Capacité mémoire : 1MB
  • BandWidth : 8bit
  • Fonction de vitesse : 70ns(TRAC)
  • Composition de Chip :
    KMM591000AN-7 = KM44C1000AJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
    KMM591000BN-7 = KM44C1000BJ-7 × 2 + KM44C1000CJ-7
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/samsung-30pin-1mb-dram-simm/feed/ 1 Goldstar 1Mo DRAM 30pin SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) https://www.devicelog.com/fr/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400b-gmc71c1000b/ https://www.devicelog.com/fr/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400b-gmc71c1000b/#respond Tue, 02 Aug 2011 09:45:54 +0000 https://www.devicelog.com/?p=46-fr Ce SIMM plaqué de couleur dorée. La couleur de placage et la forme de carte de ce SIMM sont différentes de le SIMM avec GM71C4400A.

GM71C4400B est 1M × 4bit. Et GM71C1000B est 1M × 4bit. The memory capacity and the function of this SIMM is not different from the SIMM with GM71C4400A and GM71C1000.

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (frontside)

Goldstar 30핀 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (backside)

  • Entreprise de fabrication : Goldstar Electon
  • Année de fabrication : 1994
  • Pays de fabrication : Corée du Sud
  • Caractéristiques du module : 30épingle, SIMM, RAM de parité
  • Capacité mémoire : 1MB
  • BandWidth : 8bit
  • Fonction de vitesse : 70ns(TRAC)
  • Composition de Chip : GM71C4400B × 2 + GM71C1000B

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B)

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400b-gmc71c1000b/feed/ 0 Goldstar 1Mo DRAM 30pin SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) https://www.devicelog.com/fr/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400a-gmc71c1000/ https://www.devicelog.com/fr/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400a-gmc71c1000/#comments Tue, 02 Aug 2011 05:39:00 +0000 https://www.devicelog.com/?p=23-fr Goldstar est la marque déposée de Goldstar Electron Co., Ltd. Il a changé son nom en LG Semiconductor (LG Semicon) à 1995, et il a été fusionné dans l'industrie de l'électronique Hyundai (Hynix de maintenant) at 1999.

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A+GMC71C1000) (frontside)Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A+GMC71C1000) (backside)

  • Entreprise de fabrication : Electron Goldstar
  • Année de fabrication: 1993
  • Pays de fabrication : Corée du Sud
  • Caractéristiques du module : 30épingle, DRACHME, SIMM, RAM de parité
  • Capacité mémoire : 1MB
  • BandWidth : 8bit
  • Fonction de vitesse : 70ns(TRAC)
  • Composition de Chip : GM71C4400A × 2 + GM71C1000
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400a-gmc71c1000/feed/ 2 Hyundai 1Mo DRAM 30pin SIMM https://www.devicelog.com/fr/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/ https://www.devicelog.com/fr/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/#comments Mon, 01 Aug 2011 16:12:29 +0000 https://www.devicelog.com/?p=5-fr Cette RAM est un SIMM à 30 broches de 1 Mo produit par l'industrie de l'électronique Hyundai(Hynix de maintenant). 30-Les SIMM à broches ont été utilisés universellement depuis 80286 à 80486. Si le nombre de jetons est un nombre impair, one of the chips perform parity check.

Cette RAM est composée de deux HY514400A(1M x 4bit) et un HY531000A(1M x 1 bit). La capacité de mémoire de la RAM est de 1 Mo. HY531000A est une puce de données, and HY531000A is parity chip.

Hyundai 30-pin 1MB SIMM (HY514400A × 2 + HT531000A)

  • Fabricant : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
  • Année de fabrication : 1993
  • caractéristiques du produit : 30-épingle, DRAM SIMM, RAM de parité
  • Capacité mémoire : 1MB
  • Bande passante : 8bit
  • Fonction de vitesse : 70ns(TRAC)
  • Composition de Chip : HY514400A × 2 + HY531000A (4× 2 + 1 morceaux)
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/feed/ 1