Fabricant : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Année de construction : 1994 Pays de fabrication : Numéro de pièce Corée du Sud : Facteur de forme HYM532100AM-70 : Type de mémoire SIMM : Capacité mémoire EDO DRAM : 4Type de bus MB : Rapide page Mémoire (FPM) Correction des erreurs : Épingles de non-parité : 72bande passante pin : 32Bit Latence : 70ns (TRAC) Tension […]

Nom du produit : SDRAM DDR3 EKmemory 2 Go 2Rx8 PC3-10600U-9-10-fabricant B0 : EKmemory Pays de fabrication : Capacité Corée du Sud données : 2GB Vitesse d'horloge : 1333mhz (PC3-10600) traits : 240épingle, Unbuffer DIMM SDRAM DDR3 non-ECC Composition de puce de données : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 puces tension VDD : 1.5V Page d'accueil : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = dram&no = 91

KMM591000AN-7 est composé de deux puces KM44C1000AJ-7 et d'une puce KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 est composé de deux puces KM44C1000BJ-7 et d'une puce KM44C1000CJ-7. Ce sont des SIMM DRAM de 1 Mo produits par Samsung Electronics. Entreprise de fabrication : Année de fabrication de Samsung Electronics : 1992 / 1993 Pays de fabrication : Caractéristiques du module Corée du Sud : 30épingle, SIMM, Capacité de mémoire RAM de parité […]

EDO possède un espace de mémoire temporaire pour les E / S données plus rapide. Il est efficace lorsque le système ne peut pas recevoir le cache support de la mémoire. Mais si le système dispose d'une mémoire cache, l'effet de EDO est peu. Fabricant : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Année de construction / Semaine : 1997/32 Pays de fabrication : Corée (Corée du Sud) Numéro d'article […]

Cette RAM est un SIMM à 30 broches de 1 Mo produit par l'industrie de l'électronique Hyundai(Hynix de maintenant). 30-Les SIMM à broches ont été utilisés universellement depuis 80286 à 80486. Si le nombre de jetons est un nombre impair, une des puces effectue un contrôle de parité. Cette RAM est composée de deux HY514400A(1M x 4bit) et un HY531000A(1M x 1 bit). La capacité mémoire de […]