EDO possède un espace de mémoire temporaire pour les E / S données plus rapide. Il est efficace lorsque le système ne peut pas recevoir le cache support de la mémoire. Mais si le système dispose d'une mémoire cache, l'effet de EDO est peu. Fabricant : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Année de construction / Semaine : 1997/32 Pays de fabrication : Corée (Corée du Sud) Numéro d'article […]

Ce SIMM plaqué de couleur dorée. La couleur de placage et la forme de la carte de ce SIMM sont différentes du SIMM avec GM71C4400A. GM71C4400B est 1M × 4bit. Et GM71C1000B est 1M × 4bit. La capacité de mémoire et la fonction de ce SIMM ne sont pas différentes de celles du SIMM avec GM71C4400A et GM71C1000. Fabrication […]

Goldstar est la marque déposée de Goldstar Electron Co., Ltd. Il a changé son nom en LG Semiconductor (LG Semicon) à 1995, et il a été fusionné dans l'industrie de l'électronique Hyundai (Hynix de maintenant) à 1999. Entreprise de fabrication : Goldstar Electron Année de fabrication: 1993 Pays de fabrication : Caractéristiques du module Corée du Sud : 30épingle, DRACHME, SIMM, RAM de parité […]

Cette RAM est un SIMM à 30 broches de 1 Mo produit par l'industrie de l'électronique Hyundai(Hynix de maintenant). 30-Les SIMM à broches ont été utilisés universellement depuis 80286 à 80486. Si le nombre de jetons est un nombre impair, une des puces effectue un contrôle de parité. Cette RAM est composée de deux HY514400A(1M x 4bit) et un HY531000A(1M x 1 bit). La capacité mémoire de […]