M378A1K43CB2 – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/fi/ device, part, tekniset tiedot Wed, 06 Nov 2019 09:43:31 +0000 fi hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/fi/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/fi/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-fi SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

tuotteen nimi Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1 R x 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
Osa numero M378A1K43CB2-CTD
(C-the)
Valmistaja Samsung Electronics
valmistusmaa Kiina
Build Vuosi / viikko 2018 / 28
DIMM tyyppi Udinn
data Kapasiteetti 8GB
Datanopeus
(max Kaista)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
muisti ajoitus
(CL – tRCD – TRP – Tras – TRC)		 19-19-19-43-61
ominaisuudet 288tappi, DDR4 puskuroimaton ECC SDRAM DIMM
databitit x64
Sisuselementille Pankit 16 pankit (4 pankki Ryhmät)
rivit 1 (Single Rank)
komponentti kokoonpano (1G x 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
Paketti 78FBGA lyijytöntä & Halogeeni vapaa
(RoHS yhteensopiva)
Korkeus 30mm
VDD Jännite 1.2V ± 0.06V
Käyttölämpötila Asia Lämpötila Keskimääräinen Päivitä Ajanjakso 7.8us alemmilla niin TCASE 85℃,
3.9meille 85 ℃ < TCASE ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0