Valmistaja : Hyundai Electronics Industries Co., Oy. Rakenna vuosi : 1994 Valmistusmaa : Etelä-Korean osanumero : HYM532100AM-70 muotokerroin : SIMM-muistin tyyppi : EDO DRAM -muistin kapasiteetti : 4MB väylätyyppi : Nopea sivumuisti (FPM) Virheen korjaus : Ei-pariteettinastat : 72pin Kaistanleveys : 32bittiviive : 70ns (TRAC) Jännite […]

Tuotteen nimi : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Valmistaja : EKmemory Valmistusmaa : Etelä-Korea Data Kapasiteetti : 2GB Kellotaajuus : 1333Mhz (PC3-10600) ominaisuudet : 240tappi, Unbuffer Non-ECC DDR3 DIMM Data siru koostumus : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 sirut VDD jännite : 1.5V kotisivu : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = DRAM&no = 91

KMM591000AN-7 koostuu kahdesta KM44C1000AJ-7-sirusta ja yhdestä KM44C1000CJ-7-sirusta. KMM591000BN-7 koostuu kahdesta KM44C1000BJ-7-sirusta ja yhdestä KM44C1000CJ-7-sirusta. Ne ovat 1 Mt: n DRAM-SIMM-levyjä, jotka on tuottanut Samsung Electronics. Valmistajayritys : Pysyvä linkki Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM : 1992 / 1993 Valmistusmaa : Pysyvä linkki Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM : 30tappi, SIMM, Pysyvä linkki Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM […]

EDO DRAM -muistikortissa on väliaikainen muistitila nopeammalle tiedonsiirrosta. Se on tehokasta, kun järjestelmä ei voi vastaanottaa välimuistin tukea. Mutta jos järjestelmässä on välimuisti, EDO-DRAMin vaikutus on vähäinen. Valmistaja : Hyundai Electronics Industries Co., Oy. Build Vuosi / viikko : 1997/32 Valmistusmaa : Korea (Etelä-Korea) Osa numero […]

Tämä RAM on 30-nastainen 1 Mt SIMM, jonka on tuottanut Hyundai Electronics(Hynix nyt). 30-pin-SIMM-moduuleja käytettiin yleisesti vuodesta 80286 että 80486. Jos pelimerkkien lukumäärä on pariton, numero, yksi siruista suorittaa pariteettitarkistuksen. Tämä RAM koostuu kahdesta HY514400A(1M x 4bit) ja yksi HY531000A(1M x 1bit). Muistin kapasiteetti […]