Tuotteen nimi : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (ei-aitoja osia) Osa numero : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC Valmistaja : Samsung Electronics (SEC) Valmistusmaa : Etelä-Korea Rakenna vuosi / viikko : 2003/33 data Kapasiteetti : 512Mt Kellonopeus : 400Mhz (PC3200) ominaisuudet : 184tappi, Puskuroimaton ei-ECC DDR SDRAM DIMM -sirun koostumus : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 sirut Data […]

Tuotteen nimi : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Valmistaja : EKmemory Valmistusmaa : Etelä-Korea Data Kapasiteetti : 2GB Kellotaajuus : 1333Mhz (PC3-10600) ominaisuudet : 240tappi, Unbuffer Non-ECC DDR3 DIMM Data siru koostumus : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 sirut VDD jännite : 1.5V kotisivu : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = DRAM&no = 91

Tuotteen nimi Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Muisti (2rX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Valmistaja Samsung Electronics (SEC) Valmistusmaa Korean Build vuosi / viikko 2011/31 Tiedot 4 Gt Kellotaajuus 1333MHz (PC3-10600) Muisti Ajoitus CL = 9, tRCD = 9, Trp = 9 Ominaisuudet 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 DIMM Databitit x64 Syvyys / Bit organisaatio 512M / x8 sisuselementille […]

A-TIEDOT Vitesta DDR600 Viesta -muisti, DDR SDRAM -muistimoduuleissa, ensin saavutti 600MHz kellonopeuden Samsung TCCD -muistisirulla. A-data Viestan datakapasiteetti oli 512MB tai 256MB. Sitä käytettiin enimmäkseen ovcrclock-tilaan.   Tuotenimi A-DATA Vitesta DDR600 512MB Tuotenumero MDOSSLF3H47A0B1G0Z Valmistaja A-DATA Valmistajamaa Taiwan Rakennusvuosi 2004 Ominaisuudet 184pin puskuri […]

tuotteen nimi : ELPIDA 2 Gt 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 osanumero : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Valmistaja : ELPIDA Valmistusmaa : Taiwanin rakennusvuosi / viikko : 2010/38 Muotoseikka : DDR3 SO-DIMM -ominaisuudet : 204tappi, Ei-ECC-muistikapasiteetti : 2GB enimmäisnopeus : 1333Mbps jännite : 1.5V Organisaatio : 256M sanoja × 64 bitit, 2 sijoittui Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]