Valmistaja : Hyundai Electronics Industries Co., Oy. Rakenna vuosi : 1994 Valmistusmaa : Etelä-Korean osanumero : HYM532100AM-70 muotokerroin : SIMM-muistin tyyppi : EDO DRAM -muistin kapasiteetti : 4MB väylätyyppi : Nopea sivumuisti (FPM) Virheen korjaus : Ei-pariteettinastat : 72pin Kaistanleveys : 32bittiviive : 70ns (TRAC) Jännite […]

Tuotteen nimi : Samsung SDRAM 32MB PC66 Osanumero : KMM366S403BTN-G0 Valmistaja : Samsung Electronics (SEC) Valmistusmaa : Etelä-Korea Rakenna vuosi / viikko : 1997/33 data Kapasiteetti : 32Mt Kellonopeus : 66Mhz (PC66) ominaisuudet : 168tappi, Puskuroimaton Ei-ECC SDRAM DIMM Tietosirun koostumus : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 sirut VDD : 3.3V

Tuotteen nimi : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (ei-aitoja osia) Osa numero : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC Valmistaja : Samsung Electronics (SEC) Valmistusmaa : Etelä-Korea Rakenna vuosi / viikko : 2003/33 data Kapasiteetti : 512Mt Kellonopeus : 400Mhz (PC3200) ominaisuudet : 184tappi, Puskuroimaton ei-ECC DDR SDRAM DIMM -sirun koostumus : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 sirut Data […]

Tuotteen nimi : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Valmistaja : EKmemory Valmistusmaa : Etelä-Korea Data Kapasiteetti : 2GB Kellotaajuus : 1333Mhz (PC3-10600) ominaisuudet : 240tappi, Unbuffer Non-ECC DDR3 DIMM Data siru koostumus : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 sirut VDD jännite : 1.5V kotisivu : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = DRAM&no = 91

Tuotteen nimi Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Muisti (2rX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Valmistaja Samsung Electronics (SEC) Valmistusmaa Korean Build vuosi / viikko 2011/31 Tiedot 4 Gt Kellotaajuus 1333MHz (PC3-10600) Muisti Ajoitus CL = 9, tRCD = 9, Trp = 9 Ominaisuudet 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 DIMM Databitit x64 Syvyys / Bit organisaatio 512M / x8 sisuselementille […]