SDRAM – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/fa/ device, part, مشخصات Thu, 01 Dec 2022 23:32:55 +0000 fa hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/ https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/#respond Wed, 20 Jul 2022 09:33:56 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1358-fa Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0) backside

  • نام محصول : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66
  • شماره قطعه : KMM366S203CTL-G0
  • سازنده : شرکت سامسونگ الکترونیک, Ltd. (جزء)
  • کشور سازنده : کره جنوبی
  • ساخت سال/هفته : 1998/09
  • ظرفیت داده : 16MB
  • سرعت ساعت : 66MHz (PC66)
  • امکانات : 168 سنجاق, DIMM غیر ECC SDRAM بافر نشده
  • ترکیب داده ها : [KM48S2020CT-G10] × 8 تراشه
    (2M × 64bit)
  • اطلاعات یک تراشه
    • KM48S2020CT-G10 (UQK218EM یا UQL004DD)
    • نوع آی سی حافظه : DRAM سنکرون
    • ظرفیت : 2M x 8 بیت
    • دسترسی به زمان حداکثر : 7 ns
    • طول پشت سر هم درهم: 1, 2, 4, 8
    • فرکانس ساعت - حداکثر (fCLK) : 100 مگاهرتز
    • 44 سنجاق
    • ساخت سال/هفته : 1998/07
  • VDD : 3.3V
  • و غیره : 366S203BTL, AD1055-00, SMB2 94 ولت-0
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/feed/ 0 LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S) https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/ https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/#respond Fri, 15 Jul 2022 08:54:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1350-fa LG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM GMM2642233BLTG-10K 7101SLG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM 168pin DIMM

  • نام محصول : LG SDRAM 16MB PC66
  • شماره قطعه : GMM2642233BLTG-10K 7101S
  • سازنده : شرکت LG Semicon, Ltd.
  • کشور سازنده : کره جنوبی
  • ساخت سال/هفته : 1997/03
  • ظرفیت داده : 16MB
  • سرعت ساعت : 66MHz (PC66)
  • امکانات : 168سنجاق, DIMM غیر ECC SDRAM بافر نشده
  • ترکیب داده ها : [GM72V16821BT10K] × 8 تراشه
    (2M × 64bit)
  • ظرفیت یک تراشه : 2M x 8 بیت
  • VDD : 3.3V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/feed/ 0 حافظه EK 2 گیگابایت DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-fa EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

نام محصول حافظه EK 2 گیگابایت DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
شماره قطعه EKM256S74BP8-E6
سازنده حافظه EK
کشور تولیدی تایوان
سال/هفته ساخت تراشه 2008/27
نوع ماژول حافظه DDR2 SO-DIMM 200 سنجاق
ظرفیت داده 2گیگابایت
سرعت ساعت 667MHz (PC2-5300)
زمان بندی CL=5, TRCD = 5, tRP=5
امکانات 200سنجاق
بافر نشده
غیر ECC
دفترچه یادداشت(لپ تاپ) حافظه
بیت های داده x64
اطلاعات تراشه داده EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
بسته بندی کردن FBGA (BGA ریز)
ولتاژ VDD 1.8V

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 سامسونگ 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2RX8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-fa SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

نام محصول Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
شماره قطعه M378A2K43CB1-CTD
(ج)
سازنده الکترونیک سامسونگ
کشور تولیدی چین
سال/هفته ساخت 2019 / 06
نوع DIMM UDIMM ها
ظرفیت داده 16گیگابایت
نرخ داده
(حداکثر پهنای باند)		 2666.67 MT/s
(21333.33 مگابایت بر ثانیه)
زمان بندی
(CL – tRCD – tRP – بعد از – tRC)		 19-19-19-43-61
امکانات 288سنجاق, بافر غیر ECC DDR4 SDRAM DIMM
بیت های داده x64
بانکهای ماژول داخلی 16 بانک ها (4 گروه های بانکی)
رتبه 2 (رتبه دوگانه)
ترکیب کامپوننت (1G × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
بسته بندی کردن 78FBGA با بدون سرب & بدون هالوژن
(سازگار با ROHS)
قد 31.25 مگنی
ولتاژ VDD 1.2 V ± 0.06 V
دامنه دمای مورد عملیاتی متوسط ​​دوره تازه سازی 7.8 us در پایین تر از Tمورد 85℃,
3.9ما در 85 درجه سانتیگراد < تیمورد ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 سامسونگ 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1RX8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-fa SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

نام محصول Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
شماره قطعه M378A1K43CB2-CTD
(ج)
سازنده الکترونیک سامسونگ
کشور تولیدی چین
سال/هفته ساخت 2018 / 28
نوع DIMM UDIMM ها
ظرفیت داده 8گیگابایت
نرخ داده
(حداکثر پهنای باند)		 2666.67 MT/s
(21333.33 مگابایت بر ثانیه)
زمان بندی
(CL – tRCD – tRP – بعد از – tRC)		 19-19-19-43-61
امکانات 288سنجاق, بافر غیر ECC DDR4 SDRAM DIMM
بیت های داده x64
بانکهای ماژول داخلی 16 بانک ها (4 گروه های بانکی)
رتبه 1 (رتبه تک)
ترکیب کامپوننت (1G × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
بسته بندی کردن 78FBGA با بدون سرب & بدون هالوژن
(سازگار با ROHS)
قد 30مگنی
ولتاژ VDD 1.2V ± 0.06 ولت
دامنه دمای مورد عملیاتی متوسط ​​دوره تازه سازی 7.8 us در پایین تر از Tمورد 85℃,
3.9ما در 85 درجه سانتیگراد < تیمورد ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 سامسونگ 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2RX8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/ https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/#respond Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1116-fa Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

نام محصول سامسونگ DDR2 SDRAM 2GB 2R × 8 PC2-6400
شماره قطعه M378T5663QZ3-CF7
سازنده الکترونیک سامسونگ
کشور تولیدی چین
سال/هفته ساخت 2009/04, 2010/07
نوع ماژول حافظه کمبود
ظرفیت داده 2گیگابایت
سرعت ساعت 800MHz (PC2-6400)
زمان بندی CL = 6, TRCD = 6, TRP = 6
امکانات 240سنجاق, Unbuffer غیر ECC DDR2 SDRAM DIMM
بیت های داده x64
بانکهای ماژول داخلی 8
رتبه 2
ترکیب داده ها
(عمق × بیت سازمان × رایانه های شخصی)		 128m 8 16 پوند
(K4T1G084QQ × 16pcs)
بسته بندی کردن 60FBGA با سرب بدون سرب و هالوژن
(سازگار با ROHS)
قد 30مگنی
ولتاژ VDD 1.8V ± 0.1 ولت
دامنه دمای مورد عملیاتی 0درجه سانتیگراد 95 درجه سانتیگراد

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/feed/ 0 سامسونگ 8 گیگ PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R × 8, M378B1G73QH0-AK0) https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-fa Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

نام محصول Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-AK0)
سازنده الکترونیک سامسونگ
کشور سازنده فیلیپین
ساخت سال/هفته 2014/08
ظرفیت داده 8گیگابایت
سرعت ساعت 1600MHz (PC3-12800)
زمان بندی CL=11, tRCD=11, tRP=11
امکانات 240سنجاق, بافر غیر ECC DDR3 SDRAM DIMM
فناوری فرآیند تولید 20, 30, 40NM
بیت های داده x64
بانکهای ماژول داخلی 8
رتبه 2
ترکیب داده ها
(عمق × بیت سازمان × رایانه های شخصی)		 512M×8× 16 رایانه های شخصی
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 رایانه های شخصی)
بسته بندی کردن
78 FBGA با بدون سرب & بدون هالوژن
(سازگار با ROHS)
قد 30مگنی
ولتاژ VDD 1.5V ± 0.075 ولت
دامنه دمای مورد عملیاتی 0درجه سانتیگراد 95 درجه سانتیگراد

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 سامسونگ 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-fa M368L6423DTM 32M بیت x است 64 نرخ داده دو برابر(DDR) ماژول حافظه با چگالی بالا SDRAM بر اساس نسل پنجم 256 مگابایت DDR SDRAM به ترتیب. M368L6423DTM از شانزده CMOS 32M x تشکیل شده است 8 بیت با SDRAMهای 4 بانکی Double Rate Data در 66 پین TSOP-II(400میلیون) بسته های نصب شده بر روی یک بستر شیشه ای اپوکسی 184 پین. Four 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the printed circuit board in parallel for each DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

نام محصول Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
سازنده الکترونیک سامسونگ
کشور سازنده کشور کره
ساخت سال/هفته 2003/12
ظرفیت داده 512MB
سرعت ساعت 166MHz (PC2700, DDR333)
زمان بندی CL=2.5
امکانات 184سنجاق, کمبود, SDRAM DDR غیر ECC بافر نشده
اندازه 133.35mm × 31.75mm
بیت های داده 64بیت
بانکهای ماژول داخلی 4
ترکیب داده ها K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8bit × 16chips)
بسته بندی کردن TSOP-II
ولتاژ VDD 2.5V ± 0.2V
دامنه دمای مورد عملیاتی 0درجه سانتیگراد 85 درجه سانتیگراد
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 سامسونگ 32MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S403BTN-G0) https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/sdram/samsung-sdram-32mb-pc66-kmm366s403btn-g0/ https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/sdram/samsung-sdram-32mb-pc66-kmm366s403btn-g0/#comments Thu, 14 Mar 2013 03:50:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=732-fa Samsung SDRAM 32MB PC66 KMM366S403BTN-G0

Samsung SDRAM 32MB PC66 KMM366S403BTN-G0 underside

  • نام محصول : Samsung SDRAM 32MB PC66
  • شماره قطعه : KMM366S403BTN-G0
  • سازنده : الکترونیک سامسونگ (جزء)
  • کشور سازنده : کره جنوبی
  • ساخت سال/هفته : 1997/33
  • ظرفیت داده : 32MB
  • سرعت ساعت : 66MHz (PC66)
  • امکانات : 168سنجاق, DIMM غیر ECC SDRAM بافر نشده
  • ترکیب داده ها : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 تراشه
  • VDD : 3.3V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-sdram-32mb-pc66-kmm366s403btn-g0/feed/ 1 سامسونگ 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (cl3, رم) https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/fa/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-fa Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • نام محصول : سامسونگ DDR SDRAM 512MB PC3200 (قطعات غیر سلولی)
  • شماره قطعه : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • سازنده : الکترونیک سامسونگ (جزء)
  • کشور سازنده : کره جنوبی
  • ساخت سال/هفته : 2003/33
  • ظرفیت داده : 512MB
  • سرعت ساعت : 400MHz (PC3200)
  • امکانات : 184سنجاق, بدون ECC DDR SDRAM DIMM بدون ECC
  • ترکیب داده ها : [Sec K4H560838E-TCCC] ✕ 8 تراشه
  • بانک های داده : 4 بانک ها
  • فاصله بازنگری : 7.8μ (8k/64ms تازه کردن)
  • Latancy را بخوانید : 3 ساعت (cl3)
  • طول پشت سر هم : 2, 4, 8
  • نوع پشت سر هم : متوالی & با هم جدا کردن
  • حداکثر چرخه تازه کردن پشت سر هم : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6V ± 0.1 ولت
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3