سازنده : شرکت LG Semicon, Ltd. کشور سازنده : شماره قسمت کره جنوبی : ? فاکتور فرم : ویژگی های SIMM : 72سنجاق, EDO DRAM, ظرفیت حافظه غیر جدایی : 16پهنای باند MB : 32سرعت بیتی : 60ns(TRAC) ولتاژ : 5ترکیب تراشه : GM71C17400CJ6 8 سال/هفته ساخت تراشه : 1998/27 ظرفیت یک تراشه : 4مگس […]

نام محصول EK Memory 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 شماره قسمت EKM256S74BP8-E6 سازنده EK Memory کشور تولید تراشه تایوان ساخت سال/هفته 2008/27 ماژول حافظه نوع DDR2 SO-DIMM 200 ظرفیت داده پین 2 گیگابایت سرعت ساعت 667 مگاهرتز (PC2-5300) زمان حافظه CL = 5, TRCD = 5, TRP = 5 ویژگی نوت بوک غیر ECC 200pin بدون ECC(لپ تاپ) داده های حافظه بیت های X64 اطلاعات تراشه داده EK20908A8A-3EG […]

نام محصول Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-AK0) سازنده Samsung Electronics کشور سازنده فیلیپین سال ساخت/هفته 2014/08 ظرفیت داده 8 گیگابایت سرعت کلاک 1600 مگاهرتز (PC3-12800) زمان بندی حافظه CL=11, tRCD=11, tRP=11 دارای 240 پین, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM فناوری فرآیند تولید 20, 30, 40nm بیت های داده x64 بانک های ماژول داخلی 8 رتبه […]

M368L6423DTM 32M بیت x است 64 نرخ داده دو برابر(DDR) ماژول حافظه با چگالی بالا SDRAM بر اساس نسل پنجم 256 مگابایت DDR SDRAM به ترتیب. M368L6423DTM از شانزده CMOS 32M x تشکیل شده است 8 بیت با SDRAMهای 4 بانکی Double Rate Data در 66 پین TSOP-II(400میلیون) بسته های نصب شده بر روی یک بستر شیشه ای اپوکسی 184 پین. چهار خازن جداکننده 0.1uF هستند […]

سامسونگ الکترونیک ماژول های DDR3 SDRAM را با استفاده از فناوری فرآیند 30 نانومتری در ماه ژوئیه منتشر کرد 2010. این ماژول RAM توسط فناوری فرآیند 40 نانومتری ساخته شده است. Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2Rx8, PC3-10600s-09-10-f2, M471B5273CH0-KCH9) سازنده سامسونگ الکترونیک (جزء) Country of manufacture China Build year/week 2011/13 ظرفیت داده 4 گیگابایت سرعت کلاک 1333 مگاهرتز (PC3-10600) زمان بندی […]