نام محصول SanDisk Ultra 128GB micro SDXC UHS-I کارت با آداپتور نام مدل SQUNC-128G-GN6MA سازنده SanDisk کشور سازنده چین فرم فاکتور microSDXC NAND نوع فلش TLC ولتاژ مجاز 2.7 ~ 3.3 V ظرفیت داده 128 گیگابایت (119.052734375 GiB, 121910 Mib, 127,831,900,160 بایت ها) فرمت اصلی سیستم فایل exFAT Speed ​​Reading: حداکثر. 80 مگابایت بر ثانیه (533x) محدوده دما […]

نام محصول Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R × 8 PC2-6400 شماره شماره M378T5663QZ3-CF7 تولید کننده سامسونگ الکترونیک کشور ساخت چین ساخت سال/هفته 2009/04, 2010/07 نوع ماژول حافظه نوع DIMM ظرفیت 2 گیگابایت سرعت ساعت 800 مگاهرتز (PC2-6400) زمان حافظه CL = 6, TRCD = 6, TRP = 6 ویژگی 240pin, Unbuffer غیر ECC DDR2 SDRAM DIMM DATA BITS X64 ماژول داخلی 8 رتبه 2 داده […]

Lite-On 56Kbps شماره گیری داخلی PCI MODEM (Softmodem بین المللی Agere Systems) شماره مدل D-11561#/A1A (4491A-D1156A1A) سازنده Lite-On Technology Corp. / Agere Systems کشور سازنده چین رابط PCI چیپست Agere Systems SV92PL-T00 - رابط PCI یکپارچه با بافرهای تحمل 5 ولت و توان پشتیبانی از CardBus • نیاز به ریل برق کمکی 3.3 ولت در باس PCI دارد • موارد استفاده […]

سامسونگ الکترونیک ماژول های DDR3 SDRAM را با استفاده از فناوری فرآیند 30 نانومتری در ماه ژوئیه منتشر کرد 2010. این ماژول RAM توسط فناوری فرآیند 40 نانومتری ساخته شده است. Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2Rx8, PC3-10600s-09-10-f2, M471B5273CH0-KCH9) سازنده سامسونگ الکترونیک (جزء) Country of manufacture China Build year/week 2011/13 ظرفیت داده 4 گیگابایت سرعت کلاک 1333 مگاهرتز (PC3-10600) زمان بندی […]

نام محصول Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) سازنده Samsung Electronics کشور سازنده چین سال ساخت/هفته 2010/38 ظرفیت داده 2 گیگابایت سرعت کلاک 1333 مگاهرتز (PC3-10600) دارای 240 پین, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM فناوری فرآیند تولید 40 نانومتری بیت داده x64 بانک ماژول داخلی 8 ترکیب داده ها [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 تراشه […]