سامسونگ الکترونیک ماژول های DDR3 SDRAM را با استفاده از فناوری فرآیند 30 نانومتری در ماه ژوئیه منتشر کرد 2010. این ماژول RAM توسط فناوری فرآیند 40 نانومتری ساخته شده است. Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2Rx8, PC3-10600s-09-10-f2, M471B5273CH0-KCH9) سازنده سامسونگ الکترونیک (جزء) Country of manufacture China Build year/week 2011/13 ظرفیت داده 4 گیگابایت سرعت کلاک 1333 مگاهرتز (PC3-10600) زمان بندی […]

نام محصول Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Memory (2Rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) سازنده سامسونگ الکترونیک (جزء) کشور سازنده کره جنوبی سال ساخت/هفته 2011/31 ظرفیت داده 4 گیگابایت سرعت کلاک 1333 مگاهرتز (PC3-10600) زمان بندی حافظه CL=9, TRCD = 9, tRP=9 دارای 240 پین است, بافر غیر ECC DDR3 SDRAM DIMM بیت های داده x64 عمق / سازماندهی بیت 512M / ماژول داخلی x8 […]