نام محصول Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) سازنده Samsung Electronics کشور سازنده چین سال ساخت/هفته 2010/38 ظرفیت داده 2 گیگابایت سرعت کلاک 1333 مگاهرتز (PC3-10600) دارای 240 پین, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM فناوری فرآیند تولید 40 نانومتری بیت داده x64 بانک ماژول داخلی 8 ترکیب داده ها [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 تراشه […]

بسیاری از مین بردها, CPU پنتیوم اولیه را پشتیبانی می کند, معمولاً دارای تراشه های حافظه کش همگام سازی به عنوان حافظه نهان CPU L2 بودند. این ماژول کش همگام سازی(ساحل; Cache On A Stick) ماژول حافظه خارجی است که به عنوان حافظه نهان اضافی CPU L2 استفاده می شود. عملکرد پردازنده را در زمانی که پردازنده منتظر دستورالعمل یا داده است به حداکثر می رساند. حافظه نهان L2 برای عملیات استفاده می شود […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta Memory, در ماژول های حافظه DDR SDRAM, ابتدا با تراشه های حافظه TCCD سامسونگ به سرعت ساعت 600 مگاهرتز دست یافت. ظرفیت داده A-data Viesta 512MB یا 256MB بود. بیشتر برای ovcclocking استفاده می شد.   نام محصول A-DATA Vitesta DDR600 512MB شماره قطعه MDOSSLF3H47A0B1G0Z سازنده A-DATA کشور سازنده تایوان سال ساخت 2004 دارای Unbuffer 184pin […]

KMM591000AN-7 از دو تراشه KM44C1000AJ-7 و یک تراشه KM44C1000CJ-7 تشکیل شده است.. KMM591000BN-7 با دو تراشه KM44C1000BJ-7 و یک تراشه KM44C1000CJ-7 تشکیل شده است.. آنها 1 مگابایت DRAM SIMM هستند که توسط Samsung Electronics تولید می شوند. شرکت تولیدی : سال ساخت سامسونگ الکترونیک : 1992 / 1993 کشور سازنده : ویژگی های ماژول کره جنوبی : 30سنجاق, سیم کارت, ظرفیت حافظه RAM برابری […]

نام محصول : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 فاکتور فرم : DDR3 SO-DIMM Features : 204سنجاق, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 bits, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]