نام محصول Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) شماره قطعه M378A1K43CB2-CTD (ج) سازنده Samsung Electronics کشور سازنده چین سال ساخت/هفته 2018 / 28 نوع DIMM UDIMM ظرفیت داده 8 گیگابایت نرخ داده (حداکثر پهنای باند) 2666.67 MT/s (21333.33 مگابایت بر ثانیه) زمان بندی (CL – tRCD – tRP – بعد از – tRC) 19-19-19-43-61 دارای 288 پین, بافر غیر ECC […]

نام محصول Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R × 8 PC2-6400 شماره شماره M378T5663QZ3-CF7 تولید کننده سامسونگ الکترونیک کشور ساخت چین ساخت سال/هفته 2009/04, 2010/07 نوع ماژول حافظه نوع DIMM ظرفیت 2 گیگابایت سرعت ساعت 800 مگاهرتز (PC2-6400) زمان حافظه CL = 6, TRCD = 6, TRP = 6 ویژگی 240pin, Unbuffer غیر ECC DDR2 SDRAM DIMM DATA BITS X64 ماژول داخلی 8 رتبه 2 داده […]

نام محصول Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-AK0) سازنده Samsung Electronics کشور سازنده فیلیپین سال ساخت/هفته 2014/08 ظرفیت داده 8 گیگابایت سرعت کلاک 1600 مگاهرتز (PC3-12800) زمان بندی حافظه CL=11, tRCD=11, tRP=11 دارای 240 پین, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM فناوری فرآیند تولید 20, 30, 40nm بیت های داده x64 بانک های ماژول داخلی 8 رتبه […]

M368L6423DTM 32M بیت x است 64 نرخ داده دو برابر(DDR) ماژول حافظه با چگالی بالا SDRAM بر اساس نسل پنجم 256 مگابایت DDR SDRAM به ترتیب. M368L6423DTM از شانزده CMOS 32M x تشکیل شده است 8 بیت با SDRAMهای 4 بانکی Double Rate Data در 66 پین TSOP-II(400میلیون) بسته های نصب شده بر روی یک بستر شیشه ای اپوکسی 184 پین. چهار خازن جداکننده 0.1uF هستند […]

سامسونگ الکترونیک ماژول های DDR3 SDRAM را با استفاده از فناوری فرآیند 30 نانومتری در ماه ژوئیه منتشر کرد 2010. این ماژول RAM توسط فناوری فرآیند 40 نانومتری ساخته شده است. Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2Rx8, PC3-10600s-09-10-f2, M471B5273CH0-KCH9) سازنده سامسونگ الکترونیک (جزء) Country of manufacture China Build year/week 2011/13 ظرفیت داده 4 گیگابایت سرعت کلاک 1333 مگاهرتز (PC3-10600) زمان بندی […]