Fabrikatzailea : Hyundai Electronics Industries Co., SL. Urtea eraiki : 1994 Fabrikazio-herrialdea : Hego Koreako pieza zenbakia : HYM532100AM-70 Formaren faktorea : Simm Memoria mota : Edo Dram memoria gaitasuna : 4MB autobus mota : Orrialde azkarreko memoria (F3) Errorea zuzentzea : Parekotasun ez-pinak : 72Pin banda zabalera : 32bit latentzia : 70ns (tRAC) Tentsioa […]

Produktuaren izena : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Manufacturer : EKmemory Country of manufacture : South Korea Data Capacity : 2GB Clock speed : 1333Mhz (PC3-10600) Ezaugarriak : 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Data chip composition : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 chips VDD voltage : 1.5V Homepage : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=dram&no=91

KMM591000-7 KM44C1000AH-7 chips bi konposatu dira eta km44C1000CJ-7 txipa. KMM591000BN-7 KM44C1000BJ-7 patata frijitu eta km44C1000CJ-7 txip batez osatuta dago. Samsung Electronics-ek sortutako 1MB dram simmak dira. Fabrikazio enpresa : Samsung Electronics fabrikatutako urtea : 1992 / 1993 Fabrikazio-herrialdea : Hego Korea Moduluaren Ezaugarriak : 30pin, Simm, Parekidetasuna RAM memoria-gaitasuna […]

EDO DRAM-ek aldi baterako memoria-lekua du datuen I/O azkarragoetarako. Eraginkorra da sistemak cache-memoriaren euskarria jaso ezin duenean. Baina sistemak cache memoria badu, EDO DRAM-en eragina txikia da. Fabrikatzailea : Hyundai Electronics Industries Co., SL. Eraikitzeko Urtea/Astea : 1997/32 Fabrikazio-herrialdea : Korea (Hego Korea) Zati zenbakia […]

RAM hau 30 pin 1MB SIMM da Hyundai Electronics Industry-k sortua(Orain hynix). 30-Pin Simms unibertsalki erabili ziren 80286 -ra 80486. Txip kopurua zenbaki bakoitia bada, Txipetako batek parekotasuna egiaztatzen du. RAM hau bi hy514400A-k osatzen du(1M x 4bit) eta hy531000a bat(1M x 1Bit). Memoria gaitasuna […]