CL3 – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/eu/ device, part, zehaztapena Sat, 04 Jun 2016 15:05:16 +0000 eu hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 512 MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, benetakoa ez den RAM) https://www.devicelog.com/eu/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/eu/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-eu Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • Produktuaren izena : Samsung DDR SDRAM 512 MB PC3200 (benetakoak ez diren piezak)
  • Parte-zenbakia : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • Fabrikatzailea : Samsung Elektronika (SEK)
  • Fabrikazio-herrialdea : Hego Korea
  • Eraiki urtea / astea : 2003/33
  • Datu-gaitasuna : 512MB
  • Erlojuaren abiadura : 400Mhz (PC3200)
  • Ezaugarriak : 184pin, Buffer gabekoa ECC ez den DDR SDRAM DIMM
  • Datuen txiparen konposizioa : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 txipak
  • Datu-bankuak : 4 bankuak
  • Freskatzeko tartea : 7.8μs (8K/64 ms freskatzea)
  • Irakurri latentzia : 3 erlojua (CL3)
  • Leherketaren luzera : 2, 4, 8
  • Leherketa mota : sekuentziala & tartekatu
  • Leherketa freskatze-ziklo maximoa : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6V ± 0,1V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3