https://www.devicelog.com/es/ device, part, Especificaciones Wed, 06 Nov 2019 09:43:31 +0000 es hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 https://www.devicelog.com/es/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/es/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-es

nombre del producto	Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11)
Número de pieza	M378A1K43CB2-CTD (C-la)
Fabricante	Samsung Electronics
país de fabricación	China
Año de la estructura / Semana	2018 / 28
tipo de DIMM	Udinn
Capacidad de datos	8GB
Velocidad de datos (El ancho de banda máximo)	2666.67 MT / s (21333.33 MB / s)
sincronización de la memoria (CL – tRCD – tRP – tRAS – TRC)	19-19-19-43-61
Caracteristicas	288alfiler, DDR4 SDRAM DIMM ECC sin búfer
Bits de datos	x64
Los bancos módulo interno	16 Bancos (4 Grupos bancarios)
filas	1 (individual Rango)
Composición componente	(1G × 8) × 8 (K4A8G085WC-BCTD) × 8
Paquete	78FBGA con sin plomo & Libre de halógeno (RoHS)
Altura	30mm
tensión VDD	1.2V ± 0.06V
Caso de funcionamiento Temperatura Rango	7.8us Período Promedio Actualizar en T inferior a continuación,CASO 85℃, 3.9nosotros a 85 ℃ < TCASO ≤ 95 ℃

 

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