DRACMA – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/es/ device, part, Especificaciones Thu, 01 Dec 2022 23:32:55 +0000 es hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) https://www.devicelog.com/es/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/ https://www.devicelog.com/es/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/#respond Wed, 20 Jul 2022 09:33:56 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1358-es Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0) backside

  • Nombre del producto : Samsung 16 MB SDRAM 16 MB PC66
  • número de parte : KMM366S203CTL-G0
  • Fabricante : Samsung Electronics Co., Limitado. (SEGUNDO)
  • País de fabricación : Corea del Sur
  • Año de construcción / semana : 1998/09
  • Capacidad de datos : 16MEGABYTE
  • Velocidad de reloj : 66Megahercio (PC66)
  • Caracteristicas : 168 alfiler, DIMM SDRAM sin ECC sin búfer
  • composición chip de datos : [KM48S2020CT-G10] × 8 papas fritas
    (2M × 64 bits)
  • Información de un chip
    • KM48S2020CT-G10 (UQK218EM o UQL004DD)
    • Tipo de IC de memoria : DRAM síncrona
    • Capacidad : 2M x 8 bits
    • Tiempo de acceso-Max : 7 ns
    • Longitud de ráfaga intercalada: 1, 2, 4, 8
    • Frecuencia de reloj-máx. (fCLK) : 100 megahercio
    • 44 alfiler
    • Año de construcción / semana : 1998/07
  • VDD : 3.3V
  • ETC : 366S203BTL, AD1055-00, SMB2 94V-0
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/feed/ 0 LG Semicon 16 MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S) https://www.devicelog.com/es/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/ https://www.devicelog.com/es/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/#respond Fri, 15 Jul 2022 08:54:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1350-es LG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM GMM2642233BLTG-10K 7101SLG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM 168pin DIMM

  • Nombre del producto : LG SDRAM 16MB PC66
  • número de parte : GMM2642233BLTG-10K 7101S
  • Fabricante : LG Semicon Co., Ltd.
  • País de fabricación : Corea del Sur
  • Año de construcción / semana : 1997/03
  • Capacidad de datos : 16MEGABYTE
  • Velocidad de reloj : 66Megahercio (PC66)
  • Caracteristicas : 168alfiler, DIMM SDRAM sin ECC sin búfer
  • composición chip de datos : [GM72V16821BT10K] × 8 papas fritas
    (2M × 64 bits)
  • Un chip Capacidad : 2M x 8 bits
  • VDD : 3.3V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/feed/ 0 LG Semicon 16 MB EDO-DRAM SIMM de 72 pines (GM71C17400CJ6) https://www.devicelog.com/es/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/ https://www.devicelog.com/es/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/#comments Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1336-es LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM backside

  • Fabricante : LG Semicon Co., Ltd.
  • País de fabricación : Corea del Sur
  • Número de pieza : ?
  • Factor de forma : SIMM
  • Caracteristicas : 72alfiler, EDO DRAM, Sin paridad
  • Capacidad de memoria : 16MEGABYTE
  • Banda ancha : 32poco
  • Velocidad : 60ns(TRAC)
  • voltaje : 5V
  • Composición de chip : GM71C17400CJ6 × 8
  • Año / semana de fabricación del chip : 1998/27
  • Un chip Capacidad : 4M x 4 bits
  • Etc : Addonics®, SD816
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/feed/ 1 Memoria EK 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 https://www.devicelog.com/es/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/es/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-es EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

nombre del producto Memoria EK 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
Número de pieza EKM256S74BP8-E6
Fabricante Memoria EK
país de fabricación Taiwán
Año / semana de fabricación del chip 2008/27
Tipo de memoria del módulo DDR2 SO-DIMM 200 alfiler
Capacidad de datos 2GB
Velocidad de reloj 667Megahercio (PC2-5300)
sincronización de la memoria CL = 5, tRCD = 5, tRP = 5
Caracteristicas 200alfiler
sin búfer
No ECC
Cuaderno(Ordenador portátil) Memoria
Bits de datos x64
Información del chip de datos EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
Paquete FBGA (BGA de tono fino)
tensión VDD 1.8V

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 PC4-21300 16GB Samsung DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/es/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/es/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-es SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

nombre del producto Samsung DDR4 SDRAM de 16 GB 2R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
Número de pieza M378A2K43CB1-CTD
(C-la)
Fabricante Samsung Electronics
país de fabricación China
Año de la estructura / Semana 2019 / 06
tipo de DIMM Udinn
Capacidad de datos 16GB
Velocidad de datos
(El ancho de banda máximo)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
sincronización de la memoria
(CL – tRCD – tRP – tRAS – TRC)		 19-19-19-43-61
Caracteristicas 288alfiler, DDR4 SDRAM DIMM ECC sin búfer
Bits de datos x64
Los bancos módulo interno 16 Bancos (4 Grupos bancarios)
filas 2 (duales)
Composición componente (1G × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
Paquete 78FBGA con sin plomo & Libre de halógeno
(RoHS)
Altura 31.25 mm
tensión VDD 1.2 V ± 0.06 V
Caso de funcionamiento Temperatura Rango 7.8us Período Promedio Actualizar en T inferior a continuación,CASO 85℃,
3.9nosotros a 85 ℃ < TCASO ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 PC4-21300 8GB Samsung DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/es/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/es/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-es SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

nombre del producto Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
Número de pieza M378A1K43CB2-CTD
(C-la)
Fabricante Samsung Electronics
país de fabricación China
Año de la estructura / Semana 2018 / 28
tipo de DIMM Udinn
Capacidad de datos 8GB
Velocidad de datos
(El ancho de banda máximo)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
sincronización de la memoria
(CL – tRCD – tRP – tRAS – TRC)		 19-19-19-43-61
Caracteristicas 288alfiler, DDR4 SDRAM DIMM ECC sin búfer
Bits de datos x64
Los bancos módulo interno 16 Bancos (4 Grupos bancarios)
filas 1 (individual Rango)
Composición componente (1G × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
Paquete 78FBGA con sin plomo & Libre de halógeno
(RoHS)
Altura 30mm
tensión VDD 1.2V ± 0.06V
Caso de funcionamiento Temperatura Rango 7.8us Período Promedio Actualizar en T inferior a continuación,CASO 85℃,
3.9nosotros a 85 ℃ < TCASO ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 PC2-6400 Samsung 2 GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 (M378T5663QZ3-CF7) https://www.devicelog.com/es/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/ https://www.devicelog.com/es/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/#respond Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1116-es Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

nombre del producto Samsung 2 GB de memoria SDRAM DDR2 PC2-6400 2R × 8
Número de pieza M378T5663QZ3-CF7
Fabricante Samsung Electronics
país de fabricación China
Año de la estructura / Semana 2009/04, 2010/07
Tipo de memoria del módulo DIMM
Capacidad de datos 2GB
Velocidad de reloj 800Megahercio (PC2-6400)
sincronización de la memoria CL = 6, tRCD = 6, tRP = 6
Caracteristicas 240alfiler, DIMM sin búfer ECC DDR2 SDRAM
Bits de datos x64
Los bancos módulo interno 8
filas 2
Composición chip de datos
(Profundidad × × organización Bit piezas)		 128M x 8 × 16pcs
(16pcs K4T1G084QQ ×)
Paquete 60FBGA con libre de plomo y libre de halógenos
(RoHS)
Altura 30mm
tensión VDD 1.80,1 V V ±
Caso de funcionamiento Temperatura Rango 0° C ~ 95 ° C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/feed/ 0 Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R × 8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/es/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/es/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-es Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

Nombre del producto Samsung DIMM de 8 GB DDR3 SDRAM 8GB PC3-12800
(2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
Fabricante Samsung Electronics
País de fabricación filipino
Año de construcción / semana 2014/08
Capacidad de datos 8GB
Velocidad de reloj 1600Megahercio (PC3-12800)
sincronización de la memoria CL = 11, tRCD = 11, tRP = 11
Caracteristicas 240alfiler, Unbuffer No ECC DDR3 SDRAM DIMM
tecnología de proceso de producción 20, 30, 40Nuevo Méjico
Bits de datos x64
bancos módulo interno 8
filas 2
composición chip de datos
(Profundidad × × organización Bit piezas)		 512M × 8 × 16 pcs
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 pcs)
Paquete
78 FBGA con libre de plomo & Libre de halógeno
(RoHS)
Altura 30mm
voltaje VDD 1.5V ± 0.075V
Caso de funcionamiento Temperatura Rango 0° C ~ 95 ° C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/es/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/es/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-es El M368L6423DTM es 32M bit x 64 Doble velocidad de transmisión de datos(DDR) módulo de memoria SDRAM de alta densidad basado en el quinto genernation de 256 MB DDR SDRAM, respectivamente. El M368L6423DTM consta de dieciséis CMOS 32M x 8 bit con 4banks Double Data Rate SDRAM en 66pin TSOP-II(400mil) paquetes montados sobre un sustrato de vidrio-epoxi 184pin. Cuatro condensadores de desacoplamiento de 0.1uF están montados en la placa de circuito impreso en paralelo para cada DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Nombre del producto Samsung DDR SDRAM PC2700 DIMM de 512 MB
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Fabricante Samsung Electronics
País de fabricación Corea
Año de construcción / semana 2003/12
Capacidad de datos 512MEGABYTE
Velocidad de reloj 166Megahercio (PC2700, DDR333)
sincronización de la memoria CL = 2.5
Caracteristicas 184alfiler, DIMM, Desactivar memoria SDRAM DDR sin ECC
Talla 133.35mm × 31,75 mm
Bits de datos 64poco
bancos módulo interno 4
composición chip de datos K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8 bits × 16 chips)
Paquete TSOP-II
voltaje VDD 2.5V ± 0.2V
Caso de funcionamiento Temperatura Rango 0° C ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 Samsung 4 GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM https://www.devicelog.com/es/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/es/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-es Samsung Electronics lanzó módulos DDR3 SDRAM utilizando la tecnología de proceso de 30 nm en julio 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

Nombre del producto Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 SO-DIMM de 4 GB
(2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
Fabricante Samsung Electronics (SEGUNDO)
País de fabricación China
Año de construcción / semana 2011/13
Capacidad de datos 4GB
Velocidad de reloj 1333Megahercio (PC3-10600)
sincronización de la memoria CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9
Caracteristicas 204alfiler, SODIMM, Desactivar memoria SDRAM DDR3 sin ECC
tecnología de proceso de producción 40Nuevo Méjico
Bits de datos x64
bancos módulo interno 8
filas 2
composición chip de datos 256M x 8 * 16 pcs
componente de revisión 2Gb, C-la
Paquete 78 balón FBGA
Altura 30mm
voltaje VDD 1.5V
Caso de funcionamiento Temperatura Rango 0° C ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3