Produkta nomo Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memoro (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Fabrikanto Samsung-Elektroniko Fabrik-lando Ĉina Konstrua jaro / semajno 2010/38 Datuma Kapacito 2GB Horloĝa rapido 1333Mhz (PC3-10600) Prezentas 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Produktada procezo-teknologio 40nm Datumaj bitoj x64 Internaj Modulaj bankoj 8 Datumoj blato komponaĵo [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 pecetoj […]

Produkta Nomo : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Partnumero : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Fabrikisto : ELPIDA Lando de fabrikado : Tajvano Konstrua Jaro/Semajno : 2010/38 formo Faktoro : Trajtoj de DDR3 SO-DIMM : 204pinglo, Ne-ECC Memorkapacito : 2Maksimuma datumrapideco de GB : 1333Mbps Tensio : 1.5V Organizo : 256M vortojn × 64 pecoj, 2 rangigas Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM havas provizoran memorspacon por pli rapida datuma I/O. Ĝi estas efika kiam la sistemo ne povas ricevi kaŝmemoran subtenon. Sed se la sistemo havas kaŝmemoron, la efiko de EDO DRAM estas malgranda. Fabrikejo : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.. Konstruu Jaro / Semajno : 1997/32 Lando de fabrikado : Koreio (Sudkoreio) parto Nombro […]

Ĉi tiu SIMM tegita kun ora koloro. La tegkoloro kaj la tabulformo de ĉi tiu SIMM diferencas de la SIMM kun GM71C4400A. GM71C4400B estas 1M × 4bit. Kaj GM71C1000B estas 1M × 4bit. La memorkapablo kaj la funkcio de ĉi tiu SIMM ne diferencas de la SIMM kun GM71C4400A kaj GM71C1000. Fabrikado […]

Goldstar estas la varmarko de Goldstar Electron Co., Ltd.. Ĝi ŝanĝis sian nomon al LG Semiconductor (LG Semicon) ĉe 1995, kaj ĝi estis kunfandita en Hyundai Electronics-industrion (Hynix de nun) ĉe 1999. Produktanta Kompanio : Goldstar Electron Produktita jaro: 1993 Lando de fabrikado : Karakterizaĵoj de la Modulo de Sud-Koreio : 30pinglo, DRAM, SIMM, Parity RAM […]