PC3200 – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/eo/ device, part, spec Sat, 04 Jun 2016 15:05:16 +0000 eo hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, ne-vera RAM) https://www.devicelog.com/eo/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/eo/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-eo Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • Produkta nomo : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (neoriginaj partoj)
  • Partnumero : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • Fabrikejo : Samsung Elektroniko (SEC)
  • Lando de fabrikado : Sudkoreio
  • Konstruu jaron / semajnon : 2003/33
  • datumoj Kapacito : 512MB
  • Horloĝo rapido : 400Mhz (PC3200)
  • Trajtoj : 184pinglo, Senbufferita Non-ECC DDR SDRAM DIMM
  • Datumoj blato komponaĵo : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 pecetoj
  • Datenbankoj : 4 bankoj
  • Refreŝiga intervalo : 7.8μs (8K/64ms refreŝigi)
  • Legu latancon : 3 horloĝo (CL3)
  • La longo de eksplodo : 2, 4, 8
  • Burst tipo : sinsekva & interpleki
  • Maksimuma eksploda refreŝiga ciklo : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6V ± 0.1V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3