8GB – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/eo/ device, part, spec Wed, 06 Nov 2019 09:43:31 +0000 eo hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/eo/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/eo/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-eo SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

Produkta Nomo Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
parto Nombro M378A1K43CB2-CTD
(C-la)
Fabrikejo Samsung Elektroniko
Lando de fabrikado Ĉinio
Konstruu Jaro / Semajno 2018 / 28
DIMM-tipo UDIMM
datumoj Kapacito 8GB
Datuma Imposto
(Max Bandwidth)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
Memorajtempoj
(CL – tRCD – tRP – post – tRC)		 19-19-19-43-61
Trajtoj 288pinglo, Unbuffer Ne-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Datumaj Bitoj x64
Bankoj de Interna Modulo 16 Bankoj (4 Bankaj Grupoj)
Rangoj 1 (Ununura Rango)
Komponanta Komponado (1G × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
Pako 78FBGA kun Senplumba & Senhalogena
(RoHS konforma)
Alteco 30mm
VDD-Tensio 1.2V ± 0,06V
Operaciante Case Temperaturo Gamo Averaĝa Refreŝiga Periodo 7.8us je pli malalta ol TKAZO 85℃,
3.9ni ĉe 85 ℃ < TKAZO ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R × 8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/eo/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/eo/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-eo Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

Produkta nomo Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
Fabrikejo Samsung Elektroniko
Lando de fabrikado Filipina
Konstruu jaron / semajnon 2014/08
datumoj Kapacito 8GB
Horloĝo rapido 1600Mhz (PC3-12800)
Memorajtempoj CL = 11, tRCD = 11, tRP = 11
Trajtoj 240pinglo, Unbuffered DDR3 ECC SDRAM DIMM
Produktadprocezteknologio 20, 30, 40nm
Bitoj de datumoj x64
Interna Modulo-bankoj 8
Rangoj 2
Datumoj blato komponaĵo
(Profundo × Bita organizo × komputiloj)		 512M × 8 × 16 ĉp
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 ĉp)
Pako
78 FBGA kun Senplumba & Senhalogena
(RoHS konforma)
Alteco 30mm
VDD tensio 1.5V ± 0,075V
Operaciante Case Temperaturo Gamo 0° C ~ 95 ° C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4