K4B2G0846D – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/el/ device, part, spec Sat, 04 Jun 2016 15:07:22 +0000 el hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (2RX8, Κορέα) https://www.devicelog.com/el/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/el/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-el Samsung DDR3 SDRAM 4GB Memory DIMM (2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131)

Ονομα προϊόντος Μνήμη Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600
(2RX8, PC3-10600U-09-10-Α0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
Κατασκευαστής Η Samsung Electronics (SEC)
Χώρα παραγωγής Νότια Κορέα
Έτος κατασκευής / εβδομάδα 2011/31
Δεδομένα Χωρητικότητα 4γιγαμπάιτ
Ταχύτητα ρολογιού 1333Mhz (PC3-10600)
χρονισμού μνήμης CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9
Χαρακτηριστικά 240καρφίτσα, Unbuffer Μη-ECC DDR3 SDRAM DIMM
bits δεδομένων x64
Βάθος / οργάνωση bit 512Μ / x8
τράπεζες Εσωτερική Μονάδα 8
Βαθμοί 2
σύνθεση τσιπ Δεδομένων [SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 τσιπ
(256Mbit ✕ 8 ✕ 16 τεμ)
συστατικό αναθεώρηση 4ης γενιάς
Πακέτο FBGA (Χωρίς μόλυβδο & Χωρίς αλογόνο)
Υψος 30mm
τάση VDD 1.5V
Θερμοκρασία Λειτουργίας υπόθεση Σειρά 0° C ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0